吉致電子拋光材料 源頭廠家
25年 專注CMP拋光材料研發(fā)與生產(chǎn)

藍(lán)寶石拋光液--拋光磨料粒徑、濃度及流速的影響

藍(lán)寶石拋光液磨料粒徑、濃度及流速的影響研究表明，在其它條件相同情況下, 隨著藍(lán)寶石拋光漿料濃度的增大, 拋光速率增大。對(duì)于粒徑為80nm的研磨料: 藍(lán)寶石拋光液的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為10% 時(shí), CMP去除速率為572.2nm /m in; 而隨著質(zhì)量分?jǐn)?shù)增大至15%時(shí),CMP去除速率增大至598.8nm/min; 質(zhì)量分?jǐn)?shù)繼續(xù)增大至20% 時(shí), CMP去除速率則增大至643.3nm/min。這主要是因?yàn)樗{(lán)寶石拋光液濃度的增大, 使得拋光過程中參與機(jī)械磨削的粒子數(shù)增多, 相應(yīng)的有效粒子數(shù)也增多, 粒徑一定的情況下,

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吉致電子藍(lán)寶石研磨液CMP減薄工藝

  藍(lán)寶石研磨液/拋光液，是通過化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)（CMP Chemical Mechanical Polishing ） 用于藍(lán)寶石襯底、窗口片的研磨和減薄，達(dá)到減薄尺寸、表面平坦化效果。  吉致電子藍(lán)寶石研磨液由優(yōu)質(zhì)聚晶金剛石微粉、復(fù)合分散劑和分散介質(zhì)組成。藍(lán)寶石研磨液利用聚晶金剛石的特性，在研磨拋光過程中保持高切削效率的同時(shí)不易對(duì)工件產(chǎn)生劃傷。  吉致電子藍(lán)寶石研磨液、CMP拋光液可以應(yīng)用在藍(lán)寶石襯底的研磨和減薄、光學(xué)晶體、硬質(zhì)玻璃和晶體、超硬陶瓷和合金、磁頭、硬盤、芯片等領(lǐng)域的研

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稀土拋光液--氧化鈰拋光液的種類

  隨著光學(xué)技術(shù)和集成電路技術(shù)的飛速發(fā)展，對(duì)光學(xué)元件的精密和超精密拋光以及集成電路的CMP拋光工藝的要求越來越高，甚至達(dá)到了極其苛刻的程度，尤其是在表面粗糙度和缺陷的控制方面。鈰系稀土拋光液因其切削能力強(qiáng)、拋光精度高、拋光質(zhì)量好、使用壽命長(zhǎng)，在光學(xué)精密拋光領(lǐng)域發(fā)揮了極其重要的作用。吉致電子氧化鈰拋光液的種類和固含量可按拋光工件的用途來分：根據(jù)氧化鈰的含量，氧化鈰拋光液可分為低鈰、中鈰和高鈰拋光液，其切削力和使用壽命也由低到高。1.含95%以上氧化鈰的鈰拋光液呈淡黃色，比重約7.3。主要適用于精密光學(xué)鏡片的

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半導(dǎo)體拋光液--球型二氧化硅拋光液的用途

  球形硅微粉作為拋光液磨料，可大大提高產(chǎn)品的剛性、耐磨性、耐候性、抗沖擊性、耐壓性、抗拉性、阻燃性、良好的耐電弧絕緣性和耐紫外線輻射性。讓我們來看看球型二氧化硅拋光液在電子芯片中的一些應(yīng)用。  精密研磨粉高純球形硅粉用于光學(xué)器件和光電行業(yè)的精密研磨，特別適用于半導(dǎo)體單晶多晶硅片、顯像管玻殼玻屏、光學(xué)玻璃、液晶顯示器(LCD、LED)玻璃基板、壓電晶體、化合物半導(dǎo)體材料(砷化鎵、磷化銦)、磁性材料等半導(dǎo)體行業(yè)的研磨拋光。  吉致電子用高純球形硅粉制備成的超高純硅溶膠拋光液slurry,

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納米氧化硅拋光液的特點(diǎn)

  納米二氧化硅拋光液由高純納米氧化硅SiO2等多種復(fù)合材料配置而成，通過電解法或離子交換法制備成納米拋光液，硅拋光液磨料分散性好，具有高強(qiáng)度、高附著力、成膜性好、高滲透、高耐候性、高耐磨性等特點(diǎn)，是一種性能優(yōu)良的CMP拋光材料。廣泛應(yīng)用于金屬或半導(dǎo)體電子封裝拋光工藝中。吉致電子硅拋光液，CMP拋光slurry應(yīng)用范圍：1、可用于微晶玻璃的表面拋光加工中。2、用于硅片的粗拋和精拋以及IC加工過程，適用于大規(guī)模集成電路多層化薄膜的平坦化加工。3、用于晶圓的后道CMP清洗等半導(dǎo)體器件的加工過程、平面顯示器、多

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半導(dǎo)體拋光液---半導(dǎo)體材料有哪些？

  半導(dǎo)體業(yè)內(nèi)從材料端分為：第一代元素半導(dǎo)體材料，如硅（Si）和鍺(Ge)；第二代化合物半導(dǎo)體材料：如砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）等；第三代寬禁帶材料：如碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、氮化鋁（ALN）、氧化鎵（Ga2O3）等。  碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）、氮化鋁（ALN）、氧化鎵（Ga2O3）等，因?yàn)榻麕挾却笥?.2eV統(tǒng)稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料，在國內(nèi)也稱為第三代半導(dǎo)體材料。其中碳化硅和氮化鎵是目前商業(yè)前景最明朗的半導(dǎo)體材料，堪稱半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)內(nèi)新一代“黃金賽道&

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吉致電子Slurry拋光漿料--阻擋層拋光液

  目前，超大規(guī)模集成電路芯片的集成度已經(jīng)達(dá)到了數(shù)十億個(gè)元件，特征尺寸已經(jīng)達(dá)到了納米級(jí)，這就需要微電子技術(shù)中的數(shù)百道工序，尤其是多層布線、襯底、介質(zhì)等必須通過CMP化學(xué)機(jī)械技術(shù)，拋光液和拋光墊磨拋達(dá)到平坦化。VLSI布線正從傳統(tǒng)的鋁布線工藝向銅布線工藝轉(zhuǎn)變。  銅材質(zhì)具有快速遷移的特性，容易通過介質(zhì)層擴(kuò)散，導(dǎo)致相鄰銅線之間漏電，進(jìn)而導(dǎo)致器件特性失效。一般在沉積銅之前，在介質(zhì)襯底上沉積擴(kuò)散阻擋層，工業(yè)上已經(jīng)廣泛使用的阻擋層材料是tan/ta。  化學(xué)拋光(CMP)技術(shù)slurry拋光漿料

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陶瓷覆銅板DPC/DBC研磨拋光液工藝

  陶瓷覆銅板的制作工藝主要是DPC工藝和DBC工藝，DPC產(chǎn)品具備線路精準(zhǔn)度高與表面平整度高的特性,非常適用于覆晶/共晶工藝,配合高導(dǎo)熱的陶瓷基體,顯著提升了散熱效率,是最適合高功率、小尺寸發(fā)展需求的陶瓷散熱基板。陶瓷覆銅基板需要用到CMP拋光工藝，利用拋光液和拋光墊達(dá)到表面光潔度或鏡面效果。  CMP拋光液對(duì)陶瓷覆銅基板的拋光研磨，可以做到粗拋、中拋、精拋效果。粗拋工藝，陶瓷覆銅板表面去除率高，快速拋磨。精拋工藝，基板表面無劃痕，可達(dá)反光鏡面效果。吉致電子針對(duì)陶瓷覆銅板制備的拋光研

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吉致電子--不銹鋼工件的研磨拋光工序

不銹鋼拋光液CMP拋光液，主要應(yīng)用于不銹鋼工件表面研磨拋光工藝，不銹鋼拋光液一般有去粗、粗拋、中拋、精拋鏡面四道流程。去粗工藝:不銹鋼拋光液用較粗磨料配方液先去除表面刀痕、毛刺，切割線等痕跡，研磨去除部分余料；的粗拋工藝:研磨移除劃痕和刀痕，提高表面平整度；中拋工藝:進(jìn)階拋光劃痕、麻點(diǎn)，拋光霧面，不銹鋼中拋液提高不銹鋼工件表面亮度。精拋鏡面拋光：用不銹鋼精拋液精細(xì)化拋磨，保持工件表面的亮度升級(jí)亮度反光度，不銹鋼表面達(dá)到反光鏡面。吉致電子CMP手機(jī)鈦合金件研磨拋光液/鋁合金件研磨拋光液/鎂合金件研磨拋光液/不銹鋼研磨

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不銹鋼拋光液的CMP鏡面拋光

  手機(jī)、電腦、平板電腦等移動(dòng)終端設(shè)備，會(huì)用到不銹鋼、鈦合金、鋁合金等金屬材質(zhì)，為了達(dá)到增強(qiáng)光澤度和平坦度，金屬手機(jī)工件需要Logo拋光、攝像頭保護(hù)件拋光、手機(jī)按鍵拋光、手機(jī)邊框拋光等工藝流程。目前3C電子設(shè)備用到最多的拋光方式為CMP拋光工藝，最常用的金屬拋光液--不銹鋼拋光液。  吉致電子不銹鋼拋光液針對(duì)這些不銹鋼工件的拋光設(shè)計(jì)而成，適用于拋光304、316和316L等不銹鋼材料?？捎糜诓讳P鋼件的粗拋、中拋和精拋工藝，以達(dá)到鏡面效果。不銹鋼拋光液經(jīng)過特殊配方調(diào)配，化學(xué)拋光作用溫和，對(duì)機(jī)臺(tái)和工

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吉致電子淺槽隔離拋光液怎么用

  吉致電子淺槽隔離拋光液適用范圍：?jiǎn)尉Ч?、多晶硅的研磨拋光，存?chǔ)器制程和背照式傳感器(BSI)制程等。  STI Slurry 適用于集成電路當(dāng)中的銅互連工藝制程中銅的去除和平坦化。具有高的銅去除速率，碟型凹陷可調(diào)，低缺陷等特性?？蓱?yīng)用于邏輯芯片以及3D NAND和DRAM芯片等量產(chǎn)使用。清除集成電路中銅拋光后表面的拋光顆粒和化學(xué)物殘留，以防銅表面腐蝕，降低表面缺陷。  可定制選擇穩(wěn)定的選擇比，去除速率，對(duì)氧化物/氮化物的選擇比。硅精拋液系列具有低缺陷的優(yōu)點(diǎn)。BS

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吉致電子CMP不銹鋼拋光液的特點(diǎn)

吉致電子CMP拋光液在不銹鋼材料的表面精密加工工藝中，能夠獲得高亮度、無視覺缺陷的拋光效果，在手機(jī)、pad、數(shù)碼相機(jī)等電子產(chǎn)品中有很好的應(yīng)用。吉致電子不銹鋼拋光液在實(shí)際應(yīng)用中憑借高濃度、高稀釋比例等卓越的性能得到了客戶的充分肯定，主要用于不銹鋼的CMP工藝，目前已在國內(nèi)主流的手機(jī)代工客戶處得到良好的應(yīng)用。能拋光不銹鋼LOGO鏡面，拋光后光滑如鏡，不出現(xiàn)R角，無麻點(diǎn)，無劃傷，無拋光紋，達(dá)到理想的光潔度。不銹鋼拋光液的特點(diǎn)：①能夠在不銹鋼的CMP過程中大大提高表面的光亮度和平坦化。②不銹鋼拋光液具有表面張力低、易清洗、

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金屬手機(jī)邊框的鏡面拋光方法是什么？

  手機(jī)金屬外殼/手機(jī)邊框材質(zhì)一般為不銹鋼、鈦合金、鋁合金等，如華為\Iphone手機(jī)金屬邊框要達(dá)到完美的鏡面效果需要精拋步驟----手機(jī)鏡面拋光液slurry的主要成份是二氧化硅，二氧化硅拋光液外觀為乳白色，呈懸浮液狀態(tài)，在拋光過程中起到收光磨料的作用。  金屬手機(jī)精拋液的主要技術(shù)要求是什么呢？①鏡面拋光液PH值的選擇：PH值高低很可能會(huì)影響到最終的拋光效果，高低差別會(huì)導(dǎo)致手機(jī)金屬工件發(fā)黑氧化，以及麻點(diǎn)和起霧，所以如何控制PH值非常重要。②鏡面拋光液磨粒大小的選擇：氧化硅磨料顆粒大小，直接影響

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碳化硅襯底CMP拋磨工藝流程

碳化硅襯底CMP化學(xué)機(jī)械拋光工藝需要用到吉致電子CMP拋光液和拋光墊，拋磨工藝一般分為3道流程：雙面拋磨、粗拋、精拋。下面來看看吉致電子小編碳化硅晶圓拋光工藝介紹和拋光產(chǎn)品推薦吧。碳化硅襯底雙面研磨：一般使用雙面鑄鐵盤配合吉致電子金剛石研磨液或者碳化硅晶圓研磨液進(jìn)行加工；主要目的是去除線切損傷層以及改善晶片的平坦度。碳化硅襯底粗拋工藝：針對(duì)碳化硅襯底加工采用專門的碳化硅晶圓拋光液配合粗拋墊。既可以達(dá)到傳統(tǒng)工藝中較高的的拋光速率（與精磨基本相當(dāng)）又可以達(dá)到傳統(tǒng)工藝中粗拋后的表面光潔度。碳化硅襯底精拋工藝：SIC晶圓精

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碳化硅襯底拋光液的特點(diǎn)

碳化硅半導(dǎo)體晶片的制作一般在切片后需要用CMP拋光液進(jìn)行拋光，以移除表面的缺陷與損傷。碳化硅（Sic）晶片以高純硅粉和高純碳粉作為原材料，采用物理氣相傳輸法（PVT）生長(zhǎng)碳化硅單晶，再在襯底上使用化學(xué)氣相沉積法（CVD法）等生成外延片，最后制成相關(guān)器件。碳化硅襯底具有碳極性面和硅極性面，因?yàn)樘济媾c硅面的極性不同，所以化學(xué)活性也不同，故雙面cmp拋光速率具有差異。吉致電子碳化硅襯底拋光液（Sic Slurry）為電力電子器件及LED用碳化硅晶片的CMP化學(xué)機(jī)械平坦化配制的高精度拋光液。CMP拋光液大大提高了碳化硅晶圓

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吉致電子 射頻濾波器拋光液slurry廠家

  射頻濾波器發(fā)展至今，基本主要有兩種構(gòu)型，其中，一類是SAW濾波器（聲表面波，Surface Acoustic Wave），另一類是BAW濾波器（體聲波，Bulk Acoustic Wave），而BAW濾波器又可細(xì)分為SMR（固態(tài)裝配諧振器,Solidly Mounted Resonator）和FBAR（薄膜腔諧振器,Film Bulk Acoustic Resonator）4-6。目前市場(chǎng)主流的濾波器是SAW（聲表面波濾波器）、BAW（體聲波濾波器）和FBAR（薄膜腔聲諧振濾波器）  隨著5

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氧化鋁拋光液在藍(lán)寶石窗口中的應(yīng)用

  α -氧化鋁(Al2O3)是眾多氧化鋁晶相中的最穩(wěn)定的晶體相，它由其他晶相的氧化鋁在高溫下轉(zhuǎn)變而成，是天然氧化物晶體中硬度最高的物質(zhì)，硬度僅次于金剛石，遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于二氧化硅溶膠顆粒，它是一種常用的拋光用磨料，被廣泛用于許多硬質(zhì)材料的拋光上。應(yīng)用于CMP拋光液制備中，常用于在藍(lán)寶石窗口的鏡面拋光工藝中。 α -氧化鋁(Al2O3)其實(shí)與藍(lán)寶石是同一種物質(zhì)或材料，材料結(jié)構(gòu)中的原子排列模式完全相同，區(qū)別在于多晶體與單晶體。因此，從硬度上講α-氧化鋁(Al2O3)納米粉體與藍(lán)寶石晶體的硬度相當(dāng)，可以用于

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藍(lán)寶石拋光液的成分

  藍(lán)寶石拋光液中的主要成分有磨料、表面活性劑、螯合劑、PH調(diào)節(jié)劑等，拋光液是影響CMP（化學(xué)機(jī)械拋光）效果最重要的因素之一。評(píng)價(jià)拋光液性能好壞的指標(biāo)是流動(dòng)性好，分散均勻，在規(guī)定時(shí)間內(nèi)不能產(chǎn)生團(tuán)聚、沉淀、分層等問題，磨料懸浮性能好，拋光速率快，易清洗且綠色環(huán)保等。  其中，磨料主要影響化學(xué)機(jī)械拋光中的機(jī)械作用。磨料的選用主要從磨料的種類、濃度以及粒徑三個(gè)方面來考慮。目前CMP拋光液中常用的磨料主要有金剛石、氧化鋁、氧化硅等單一磨料，也有氧化硅/氧化鋁混合磨料以及核殼型的復(fù)合磨料等。行業(yè)內(nèi)主流拋光

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半導(dǎo)體拋光液是什么？

  半導(dǎo)體拋光液是什么？簡(jiǎn)單來說拋光液是通過化學(xué)機(jī)械反應(yīng)，去除半導(dǎo)體工件表面的氧化層，達(dá)到光潔度和高平坦要求的化學(xué)液體。  半導(dǎo)體CMP拋光液是超細(xì)固體研磨材料和化學(xué)添加劑的混合物，制備成均勻分散的懸浮液，起到研磨、潤滑和腐蝕溶解等作用，主要原料包括研磨顆粒、PH調(diào)節(jié)劑、氧化劑和分散劑等。拋光液的分類：根據(jù)酸堿性可以分為：酸性拋光液和堿性拋光液、中性拋光液。根據(jù)拋磨材質(zhì)可以分為：金屬拋光液和非金屬拋光液。根據(jù)拋光對(duì)象不同，拋光液可分為銅拋光液、鎢拋光液、硅拋光液和鈷拋光液等。其中，銅拋光液和鎢拋

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CMP拋光液---復(fù)合磨料拋光液

  復(fù)合磨料拋光液  CMP拋光液產(chǎn)品除了混合磨料外，也有利用各種新興材料制備復(fù)合磨料，常用的方法有納米粒子包覆和摻雜等。如通過結(jié)構(gòu)修飾改善納米粒子的分散性、復(fù)合其他類型材料提升在酸、堿性拋光液中的綜合性能等。  復(fù)合磨料拋光液相比混合磨料和單一磨料，在材料去除率及表面粗糙度方面均有明顯的優(yōu)勢(shì)，能實(shí)現(xiàn)納米級(jí)或亞納米級(jí)超低損傷的表面形貌。但復(fù)合磨料的制備工藝相對(duì)比較復(fù)雜，目前僅處于實(shí)驗(yàn)室探索階段，距離復(fù)合磨料在大規(guī)模生產(chǎn)上的應(yīng)用還有較遠(yuǎn)的距離。  吉致電子科技25年拋光液生產(chǎn)廠

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