吉致電子拋光材料 源頭廠家
25年 專注CMP拋光材料研發(fā)與生產(chǎn)

吉致電子 Cu CMP研磨工藝的三個步驟

Cu CMP研磨工藝通常包括三步。第一步：用來磨掉晶圓表面的大部分金屬。第二步：通過降低研磨速率的方法精磨與阻擋層接觸的金屬,并通過終點(diǎn)偵測技術(shù)（Endpoint）使研磨停在阻擋層上。第三步：磨掉阻擋層以及少量的介質(zhì)氧化物,并用大量的去離子水（DIW）清洗研磨墊和晶圓。Cu CMP研磨工藝中第一和第二步的研磨液通常是酸性的,使之對阻擋層和介質(zhì)層具有高的選擇性,而第三步的研磨液通常是偏堿性,對不同材料具有不同的選擇性。這兩種研磨液（金屬研磨液/介質(zhì)研磨液）都應(yīng)該含有H2O2、抗腐蝕的BTA（三唑甲基苯）以及其他添加物

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CMP拋光墊的種類及特點(diǎn)

Cmp拋光墊種類可按材質(zhì)結(jié)構(gòu)主要有：聚合物拋光墊、無紡布拋光墊、帶絨毛結(jié)構(gòu)的無紡布拋光墊、復(fù)合型拋光墊。①聚合物拋光墊聚合物拋光墊的主要成分是發(fā)泡體固化聚氨酯，聚氨酯拋光墊具有抗撕裂強(qiáng)度高、耐磨性強(qiáng)、耐酸堿腐蝕性優(yōu)異的特點(diǎn)，是最常用的拋光墊材料之一。 圖 聚氨酯拋光墊微觀結(jié)構(gòu) 在拋光過程中，聚氨酯拋光墊表面微孔可以軟化和使拋光墊表面粗糙化，并且能夠?qū)⒛チ项w粒保持在拋光液中，可以實(shí)現(xiàn)高效的平坦化加工。聚氨酯拋光墊表面的溝槽有利于拋光殘渣的排出。但聚氨酯拋光墊硬度過高，拋光過程中變形小，加工過程中容

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半導(dǎo)體晶圓常見材質(zhì)有哪些

半導(dǎo)體晶圓常見材質(zhì)有哪些？晶圓常見的材質(zhì)包括硅、藍(lán)寶石、氮化硅等。一、硅晶圓硅是目前制造半導(dǎo)體器件的主要材料，因其易加工、價格較低等優(yōu)良性能被廣泛采用。硅晶圓表面光潔度高，可重復(fù)性好，在光電子技術(shù)、光學(xué)等領(lǐng)域有著重要的應(yīng)用。其制造過程主要包括單晶生長、切片和拋光等工序。二、藍(lán)寶石晶圓藍(lán)寶石（sapphire）是一種高硬度透明晶體，其晶格結(jié)構(gòu)與GaAs、Al2O3等半導(dǎo)體材料相近，尤其因其較大的帶隙（3.2eV）在制造高亮度LED、激光器等器件中得到廣泛應(yīng)用。此外，藍(lán)寶石的高強(qiáng)度、高抗腐蝕性也使其成為防護(hù)材料，如用于

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吉致電子CMP拋光墊的作用

CMP技術(shù)是指被拋光材料在化學(xué)和機(jī)械的共同作用下，工件表面達(dá)到所要求的平整度的一個工藝過程。cmp拋光液中的化學(xué)成分與被拋磨工件材料表面進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)，形成易去除的軟化層，拋光墊和拋光液中的研磨顆粒對材料表面進(jìn)行物理機(jī)械拋光將軟化層除去。在CMP制程中，拋光墊的主要作用有：①使拋光液有效均勻分布至整個加工區(qū)域，且可提供新補(bǔ)充的拋光液進(jìn)行一個拋光液循環(huán)；②從工件拋光表面除去拋光過程產(chǎn)生的殘留物（如拋光碎屑、拋光碎片等）；③傳遞材料去除所需的機(jī)械載荷；④維持拋光過程所需的機(jī)械和化學(xué)環(huán)境。除拋光墊的力學(xué)性能以外，其表面組織

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襯底與晶圓在半導(dǎo)體制造中的應(yīng)用

  襯底和晶圓是半導(dǎo)體制造過程中的兩個重要概念。襯底是作為基礎(chǔ)層的材料，承載著芯片和器件；而晶圓則是從襯底中切割出來的圓形硅片，作為半導(dǎo)體芯片的主要基板。襯底通常是硅片或其他材料的薄片，而晶圓則是襯底的一部分，具有特定的尺寸和方向。襯底用于承載和沉積薄膜，而晶圓用于生長材料、制造芯片和執(zhí)行光刻等工藝步驟。 襯底的應(yīng)用：承載半導(dǎo)體芯片：襯底是半導(dǎo)體芯片的基礎(chǔ)，提供穩(wěn)定的平臺來構(gòu)建電子器件和集成電路?；A(chǔ)層的沉積：在制造過程中，襯底上可能需要進(jìn)行一系列的薄膜沉積，如氧化物、金屬等。這些薄膜可以提供保

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金屬互連中的大馬士革工藝

 在半導(dǎo)體制程中為了連接不同的電路元件，傳遞電子信號和為電路元件供電，需要使用導(dǎo)電金屬來形成互連結(jié)構(gòu)。鋁曾經(jīng)是半導(dǎo)體行業(yè)中用于這些互聯(lián)結(jié)構(gòu)的主要材料。然而，隨著半導(dǎo)體技術(shù)的進(jìn)步和特征尺寸的不斷縮小，銅成為了替代選擇，那么這個過程是如何演變的呢？  金屬互連工藝歷史：早期的集成電路使用了金作為互連材料，到60-90年代中期，鋁逐漸成為集成電路制造中最主要的互連導(dǎo)線材料。1997年，美國 IBM 公司公布了先進(jìn)的銅互連技術(shù)，標(biāo)志著銅正式開始替代鋁成為高性能集成電路的主要互連材料。 

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藍(lán)寶石激光領(lǐng)域視窗拋光液

  藍(lán)寶石激光領(lǐng)域視窗具有 Mohs 9硬度、平整度到<1/20λ,表面粗糙度0.3nm。按照尺寸從0.5英寸 到30英寸和不同壁厚度的規(guī)格制造,包括階梯邊緣、橢圓形邊緣望造、孔、槽和楔角。  藍(lán)寶激光領(lǐng)域視窗對快速移動的沙子、鹽水和其他顆粒物具有抵抗力,非常適合所有類型的激光武器系統(tǒng)、大功率微波和其他需要極其平坦和堅固的光學(xué)技術(shù)的應(yīng)用。  吉致電子藍(lán)寶石激光領(lǐng)域視窗拋光液，具有良好的穩(wěn)定性，提高藍(lán)寶石視窗片拋光速率的同時保證藍(lán)寶石表面光滑、無缺陷的全局平坦化質(zhì)量。無錫吉致電子科

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半導(dǎo)體晶圓CMP化學(xué)機(jī)械研磨拋光的原因

 什么是CMP化學(xué)機(jī)械研磨拋光？CMP（Chemical Mechanical Polishing）其實(shí)為化學(xué)與機(jī)械研磨（C&MP）的意思，化學(xué)作用與機(jī)械作用平等。目前CMP已成為半導(dǎo)體制程主流，其重要的原因主要有二：①為了縮小芯片面積，因此采用集成度高、細(xì)線化的多層金屬互連線（七層以上），因線寬極細(xì)，且需多層堆疊，故光刻制程即為一關(guān)鍵步驟。若晶圓表面凹凸不平，平坦度差，則會影響光刻精確度，因此需以CMP達(dá)成晶圓上金屬層間之全面平坦化（Global Planarization）。②為了降低元件之電

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SiC碳化硅襯底加工的主要步驟

SiC碳化硅襯底加工的主要分為9個步驟：晶面定向、外圓滾磨、端面磨、線切、倒角、減薄、CMP研磨、CMP拋光以及清洗。1.晶面定向：使用 X 射線衍射法為晶錠定向，當(dāng)一束 X 射線入射到需要定向的晶面后，通過衍射光束的角度來確定晶面的晶向。2.外圓滾磨：在石墨坩堝中生長的單晶的直徑大于標(biāo)準(zhǔn)尺寸，通過外圓滾磨將直徑減小到標(biāo)準(zhǔn)尺寸。3.端面磨：SiC 襯底一般有兩個定位邊，主定位邊與副定位邊，通過端面磨開出定位邊。4.線切割：線切割是碳化硅SiC 襯底加工過程中一道較為重要的工序。線切過程中造成的裂紋損傷、殘留的亞表面

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LT鉭酸鋰晶片的CMP拋光液

鉭酸鋰LiTaO3作為非線性光學(xué)晶體、電光晶體、壓電晶體、聲光晶體和雙折射晶體等在現(xiàn)今以光技術(shù)產(chǎn)業(yè)為中心的IT 產(chǎn)業(yè)中得到了廣泛的應(yīng)用。 晶體材料的結(jié)構(gòu)與其光學(xué)性能息息相關(guān)，鉭酸鋰LT晶體是一種優(yōu)良的多功能材料，具有很高的應(yīng)用價值。LiTaO3晶體以它的化學(xué)性能穩(wěn)定高（不溶與水），居里點(diǎn)高于600℃，不易出現(xiàn)退極化現(xiàn)象，介電損耗低，探測率優(yōu)值高的優(yōu)良特性，成為熱釋電紅外探測器的應(yīng)用材料。  經(jīng)過CMP拋光的LT晶片廣泛用于諧振器、濾波器、換能器等電子通訊器件的制造，尤其以它良好的機(jī)電耦合、溫度系數(shù)等綜合性

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吉致電子主要業(yè)務(wù)及CMP產(chǎn)品有哪些

吉致電子科技有限公司的主要業(yè)務(wù)及服務(wù)行業(yè)有：半導(dǎo)體集成電路、金屬行業(yè)、光電行業(yè)、陶瓷行業(yè)等。CMP產(chǎn)品包括：拋光液、拋光墊、清洗劑、其他研磨拋光耗材等。吉致電子致力于產(chǎn)品質(zhì)量嚴(yán)格管控，多年研發(fā)經(jīng)驗(yàn)技術(shù)，已為數(shù)家百強(qiáng)企業(yè)提供拋光解決方案并長期合作。吉致電子CMP拋光液產(chǎn)品主要包括以下系列：半導(dǎo)體集成電路：Si wafer slurry / SiC wafer slurry / W slurry / IC CU slurry / Oxide slurry / 3D TSV CU slurry / FA slurry /

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芯片制造為什么使用單晶硅做襯底

芯片制造中為什么都喜歡用單晶硅作為襯底材料呢?那是因?yàn)閱尉Ч杵哂幸韵聝?yōu)點(diǎn)：單晶硅片是半導(dǎo)體器件制造的基礎(chǔ)材料，應(yīng)用廣泛。計算機(jī)芯片、智能手機(jī)中的處理器、存儲器.傳感器等都是使用單晶硅片制造的。單晶硅具有顯著的半導(dǎo)體性能：單晶硅是一種半導(dǎo)體材料，具有較弱的導(dǎo)電性。該材料的電導(dǎo)率受光、電、磁、溫度等因素的影響，隨著溫度的升高而增加。超純的單晶硅屬于本征半導(dǎo)體，但在其中摻入亞A族元素，如硼，則可形成p型硅半導(dǎo)體，摻入微量的VA族元素，如磷或砷，則可形成n型硅半導(dǎo)體。通過擴(kuò)散作用，將p型半導(dǎo)體與n型半導(dǎo)體制作在同一塊半導(dǎo)

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吉致電子--GaN氮化鎵CMP拋光的重要性

  氮化鎵(GaN)是一種具有廣泛應(yīng)用前景的半導(dǎo)體材料，具有優(yōu)異的電子特性和光學(xué)性能。在現(xiàn)代電子設(shè)備中，氮化鎵被廣泛應(yīng)用于 LED 顯示屏、激光器、功率放大器等領(lǐng)域，并且在未來的 5G 通訊、電動汽車等領(lǐng)域也具有巨大的發(fā)展?jié)摿?。然而，氮化鎵在制備過程中容易受到表面缺陷的影響，影響其性能和穩(wěn)定性，所以氮化鎵拋光工藝顯得尤為重要，淺談一下氮化鎵CMP拋光的重要性。 氮化鎵CMP拋光的重要性主要體現(xiàn)在以下幾個方面：1，提高器件的光電性能：氮化鎵材料用于制作 LED和LD等光電器件其表面質(zhì)量影響著器件的

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吉致電子--襯底與晶圓CMP磨拋工藝的區(qū)別

  在半導(dǎo)體制造過程中，襯底和晶圓是兩個常見的術(shù)語。它們扮演著重要的角色，但在定義、結(jié)構(gòu)和用途上存在一些差異和區(qū)別。  襯底---作為基礎(chǔ)層的材料，承載著芯片和器件。它通常是一個硅片或其他材料的薄片，作為承載芯片和電子器件的基礎(chǔ)。襯底可以看作是半導(dǎo)體器件的“地基”。襯底的CMP磨拋工藝主要關(guān)注其表面的平整度、清潔度和粗糙度，確保后續(xù)工藝如外延生長、薄膜沉積等能夠順利進(jìn)行。  晶圓---則是從襯底中切割出來的圓形硅片，作為半導(dǎo)體芯片的主要基板。晶圓的CMP磨拋工藝

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吉致電子--單晶硅與多晶硅的區(qū)別

吉致電子粒徑小于100nm的球形氧化鈰拋光液可用于單晶硅片表面CMP及多晶硅CMP。下面簡單談?wù)剢尉Ч韬投嗑Ч璧膮^(qū)別： 單晶硅和多晶硅是兩種不同的硅材料，它們的主要區(qū)別在于晶體結(jié)構(gòu)、物理性質(zhì)和用途等方面。  ①晶體排列組成不一樣：  單晶硅是由許多晶體周期性排列而成的，其晶體結(jié)構(gòu)具有高度的有序性和一致性，因此其晶體內(nèi)部的原子排列和晶體缺陷都比較少。  多晶硅是由許多小的晶體組成的，每個小晶體的晶體結(jié)構(gòu)都有一定的差異，因此其晶體內(nèi)部的原子排列和晶體缺陷都比較復(fù)雜。 ②

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看懂SIC碳化硅襯底研磨加工技術(shù)

碳化硅SiC襯底因其脆硬性特性再疊加大尺寸化、超薄化的放大效應(yīng)，給現(xiàn)有的加工技術(shù)帶來了巨大的挑戰(zhàn)，被視為典型難加工材料。高效率、高質(zhì)量的碳化硅襯底加工技術(shù)成了當(dāng)下的研究熱點(diǎn)。  碳化硅相較于第一、二代半導(dǎo)體材料具有更優(yōu)良的熱學(xué)、電學(xué)性能，如寬禁帶、高導(dǎo)熱、高溫度穩(wěn)定 性和低介電常數(shù)等，這些優(yōu)勢使得以碳化硅為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料廣泛應(yīng)用于高溫、高頻、高功率 以及抗輻射等極端工況.作為高性能微電子和光 電子器件制造的襯底基片，碳化硅襯底加工后的表面、亞表面質(zhì)量對器件的使用性能有著極為重要的影響。因

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SiC碳化硅應(yīng)用領(lǐng)域有哪些？

碳化硅材料主要包括單晶和陶瓷兩大類，無論是作為單晶還是陶瓷，碳化硅材料目前已成為半導(dǎo)體、新能源汽車、光伏等三大干億賽道的關(guān)鍵材料之一。例如:單晶方面：碳化硅作為目前發(fā)展最成熟的第三代半導(dǎo)體材料，可謂是近年來最火熱的半導(dǎo)體材料。尤其是在“雙碳”戰(zhàn)略背景下，碳化硅被深度綁定新能源汽車、光伏、儲能等節(jié)能減碳行業(yè),萬眾矚目。陶瓷方面：碳化硅憑借其優(yōu)異的高溫強(qiáng)度、高硬度、高彈性模量、高耐磨性、高導(dǎo)熱性、耐腐蝕性等性能，近年來隨著新能源汽車、半導(dǎo)體、光伏等行業(yè)的起飛而需求爆發(fā)，深深地滲入到這些新興領(lǐng)域的

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半導(dǎo)體襯底和外延的區(qū)別是什么？

  在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中，特別是第三代半導(dǎo)體（寬禁帶半導(dǎo)體）產(chǎn)業(yè)鏈中，會有襯底及外延層之分，那外延層的存在有何意義？和襯底的區(qū)別是什么呢？  在第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈，晶圓制備過程中存在兩個重要環(huán)節(jié)：①是襯底的制備，②是外延工藝的實(shí)施。這兩個環(huán)節(jié)的區(qū)別是怎樣的，存在的意義又有何不同？  襯底由半導(dǎo)體單晶材料精心打造的晶圓片，可以作為基礎(chǔ)直接投入晶圓制造的流程來生產(chǎn)半導(dǎo)體器件，或者進(jìn)一步通過外延工藝來增強(qiáng)性能

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CMP設(shè)備及耗材對半導(dǎo)體硅片拋磨有影響嗎？

CMP設(shè)備及耗材對工藝效果影響嗎？答案是：有關(guān)鍵影響。CMP工藝離不開設(shè)備機(jī)臺及耗材，其中耗材包括拋光墊和拋光液。影響CMP效果主要因素如下：①設(shè)備參數(shù)：拋光時間、研磨盤轉(zhuǎn)速、拋光頭轉(zhuǎn)速、拋光頭搖擺度、背壓、下壓力等；②研磨液參數(shù)：磨粒大小、磨粒含量、磨粒凝聚度、酸堿度、氧化劑含量、流量、粘滯 系數(shù)等 ；③拋光墊參數(shù)：硬度、密度、空隙大小、彈性等；④CMP對象薄膜參數(shù)：種類、厚度、硬度、化學(xué)性質(zhì)、圖案密度等。CMP耗材包括拋光液、拋光墊、鉆石碟、清洗液等，對 CMP 工藝效應(yīng)均有關(guān)鍵影響。1. CMP 拋

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碳化硅襯底平坦化使用的是什么工藝？

  碳化硅是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。  第三代半導(dǎo)體，由于在物理結(jié)構(gòu)上具有能級禁帶寬的特點(diǎn)，又稱為寬禁帶半導(dǎo)體，主要是以氮化鎵和碳化硅為代表，其在半導(dǎo)體性能特征上與第一代的硅、第二代的砷化鎵有所區(qū)別，使得其能夠具備高禁帶寬度、高熱導(dǎo)率、高擊穿場強(qiáng)、高電子飽和漂移速率等優(yōu)勢，從而能夠開發(fā)出更適應(yīng)高溫、高功率、高壓、高頻以及抗輻射等惡劣條件的小型化功率半導(dǎo)體器件，可有效突破傳統(tǒng)硅基功率半導(dǎo)體器件及其材料的物理極限。  化學(xué)

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