在半導(dǎo)體制造過(guò)程中，襯底和晶圓是兩個(gè)常見的術(shù)語(yǔ)。它們扮演著重要的角色，但在定義、結(jié)構(gòu)和用途上存在一些差異和區(qū)別，CMP磨拋工藝也有不同側(cè)重。
  襯底---作為基礎(chǔ)層的材料，承載著芯片和器件。它通常是一個(gè)硅片或其他材料的薄片，作為承載芯片和電子器件的基礎(chǔ)。襯底可以看作是半導(dǎo)體器件的“地基”。襯底的CMP磨拋工藝主要關(guān)注其表面的平整度、清潔度和粗糙度，確保后續(xù)工藝如外延生長(zhǎng)、薄膜沉積等能夠順利進(jìn)行。
  晶圓---則是從襯底中切割出來(lái)的圓形硅片，作為半導(dǎo)體芯片的主要基板。晶圓的CMP磨拋工藝的主要目的是調(diào)整其厚度、平行度以及表面粗糙度，以滿足高精度制造的要求。晶圓是半導(dǎo)體制造中的關(guān)鍵部件，通常為圓形，直徑從幾厘米到幾十厘米不等。

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  在半導(dǎo)體制造過(guò)程中，CMP技術(shù)起著關(guān)鍵作用，拋光液和拋光墊是其中的重要耗材，占據(jù)成本主要部分。CMP（晶圓表面平坦化）技術(shù)是集成電路制造過(guò)程中的關(guān)鍵工藝，其工作原理是在一定壓力及拋光液的存在下，通過(guò)化學(xué)和機(jī)械的組合技術(shù)實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量的表面拋光。CMP 拋光材料主要包括拋光液、拋光墊、調(diào)節(jié)劑、清洗劑等。吉致電子擁有CMP半導(dǎo)體拋光液、拋光墊等耗材的全流程核心研發(fā)和制造技術(shù)，為您提供半導(dǎo)體襯底、外延、晶圓等工件磨拋cmp加工應(yīng)用解決方案。

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