吉致電子拋光材料 源頭廠家
25年 專注CMP拋光材料研發(fā)與生產(chǎn)

鈮酸鋰晶體怎么拋光？

 鈮酸鋰晶體拋光，用吉致電子CMP鈮酸鋰拋光液是有效方法 鈮酸鋰晶體(分子式 LiNbO3簡稱 LN)是一種具有鐵電、壓電、熱電、電光、聲電和光折變效應(yīng)等多種性質(zhì)的功能材料，是目前公認(rèn)為光電子時(shí)代"光學(xué)硅"的主要候選材料之一。它在超聲器件、光開關(guān)、光通訊調(diào)制器、二次諧波發(fā)生和光參量振蕩器等方面獲得廣泛應(yīng)用。  鈮酸鋰晶片的加工質(zhì)量和精度直接影響其器件的性能，因此鈮酸鋰的應(yīng)用要求晶片表面超光滑、無缺陷、無變質(zhì)層。目前,有關(guān)鈮酸鋰晶片的加工特性及其超光滑表面加工技術(shù)的研

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什么是SIC碳化硅襯底的常規(guī)雙面磨工藝

碳化硅SIC研磨工藝是去除切割過程中造成碳化硅晶片的表面刀紋以及表面損傷層，修復(fù)切割產(chǎn)生的變形。由于SiC的高硬度的特性，CM{研磨過程中必須使用高硬度的磨料（如碳化硼或金剛石粉）研磨SiC切片的晶體表面。碳化硅襯底常規(guī)的CMP研磨工藝一般分為粗磨和精磨。SiC襯底常規(guī)雙面磨工藝雙面磨工藝又稱DMP工藝，是目前大部分國內(nèi)碳化硅襯底廠商規(guī)?；a(chǎn)的工藝方案，對碳化硅進(jìn)行雙面研磨(粗磨/精磨)達(dá)到一定的表面平整度和光潔度。①粗磨：采用鑄鐵盤+單晶金剛石研磨液雙面研磨的方式該工藝可以有效的去除線割產(chǎn)生的損傷層，修復(fù)面型，

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研磨液和拋光液在半導(dǎo)體芯片加工中的應(yīng)用

  磨削和研磨等磨料處理是半導(dǎo)體芯片加工過程中的一項(xiàng)重要工藝，主要是應(yīng)用化學(xué)研磨液混配磨料的方式對半導(dǎo)體表面進(jìn)行精密加工，但是研磨會導(dǎo)致芯片表面的完整性變差。因此，保證拋光的一致性、均勻性和外表粗糙度對生產(chǎn)芯片來 說是十分重要的。拋光和研磨在半導(dǎo)體生產(chǎn)中都起到重要性的作用。一、研磨工藝與拋光工藝研磨工藝是運(yùn)用涂敷或壓嵌在研具上的磨料顆粒，經(jīng)過研具與工件在一定壓力下的相對運(yùn)動對加工件表面進(jìn)行的精整加工。研磨可用于加工各種金屬和非金屬材料，工件的外形有平面，內(nèi)、外圓柱面和圓錐面，凸、凹球面，螺紋，齒面及其他型

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碳化硅SIC襯底的加工難度有哪些？

  襯底是所有半導(dǎo)體芯片的底層材料，起到物理支撐、導(dǎo)熱、導(dǎo)電等作用。有數(shù)據(jù)顯示，襯底成本大約占晶圓加工總成本的50%，外延片占25%，器件晶圓制造環(huán)節(jié)20%，封裝測試環(huán)節(jié)5%。  SiC碳化硅襯底不止貴生產(chǎn)工藝還復(fù)雜，與Si硅片相比，SiC很難處理。SiC單晶襯底加工過程包括單晶多線切割、研磨、拋光、清洗最終得到滿足外延生長的襯底片。碳化硅是世界上硬度排名第三的物質(zhì)，不僅具有高硬度的特點(diǎn)，高脆性、低斷裂韌性也使得其磨削加工過程中易引起材料的脆性斷裂從而在材料表面留下表面破碎層，且產(chǎn)生較為嚴(yán)重的表

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藍(lán)寶石研磨液在CMP襯底工件的應(yīng)用

  藍(lán)寶石研磨液(又稱為藍(lán)寶石拋光液)是用于在藍(lán)寶石襯底的減薄和研磨拋光。  藍(lán)寶石研磨液由金剛石微粉、復(fù)合分散劑和分散介質(zhì)組成。藍(lán)寶石研磨液利用聚晶金剛石的特性，在研磨拋光過程中保持高切削效率的同時(shí)不易對工件表面產(chǎn)生劃傷。金剛石研磨液可以應(yīng)用在藍(lán)寶石襯底的研磨和減薄、光學(xué)晶體、硬質(zhì)玻璃、超硬陶瓷和合金、磁頭、硬盤、芯片等領(lǐng)域的研磨和拋光。  吉致電子藍(lán)寶石研磨液在藍(lán)寶石襯底方面的應(yīng)用:1.外延片生產(chǎn)前襯底的雙面研磨:用于藍(lán)寶石研磨一道或多道工序，根據(jù)最終藍(lán)寶石襯底研磨要求用6um、3

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CMP制程中拋光墊的作用有哪些？

  CMP技術(shù)是使被拋光材料在化學(xué)和機(jī)械的共同作用下，材料表面達(dá)到所要求的平整度的一個(gè)工藝過程。拋光液中的化學(xué)成分與材料表面進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)，形成易拋光的軟化層，拋光墊和拋光液中的研磨顆粒對材料表面進(jìn)行物理機(jī)械拋光將軟化層除去。  在CMP制程中，拋光墊的主要作用有：①傳遞材料去除所需的機(jī)械載荷；②從工件拋光表面除去拋光過程產(chǎn)生的殘留物（如工件碎屑、拋光碎片等）；③使拋光液有效均勻分布至整個(gè)加工區(qū)域，且可提供新補(bǔ)充的拋光液進(jìn)行一個(gè)拋光液循環(huán)；④維持拋光過程所需的機(jī)械和化學(xué)環(huán)境。除拋光墊的力

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碳化硅襯底需要CMP嗎

  碳化硅襯底需要CMP嗎？需要碳化硅SIC晶圓生產(chǎn)的最終過程為化學(xué)機(jī)械研磨平面步驟---簡稱“CMP”。CMP工藝旨在制備用于外延生長的襯底表面，同時(shí)使晶圓表面平坦化達(dá)到理想的粗糙度。  化學(xué)機(jī)械拋光步驟一般使用化學(xué)研磨液和聚氨酯基或聚氨酯浸漬氈型研磨片來實(shí)現(xiàn)的。碳化硅晶圓置于研磨片上，通過夾具或真空吸附墊將單面固定。被磨拋的晶圓載體暴露于研磨漿的化學(xué)反應(yīng)及物理摩擦中，僅從晶圓表面去除幾微米。  吉致電子研發(fā)用于SIC襯底研磨拋光的CMP研磨液/拋光液，以及研

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碳化硅單晶襯底加工技術(shù)---CMP拋光工藝

 碳化硅拋光工藝的實(shí)質(zhì)是離散原子的去除。碳化硅SIC單晶襯底要求被加工表面有極低的表面粗糙度，Si面在 0. 3 nm 之內(nèi)，C 面在 0. 5 nm 之內(nèi)。 根據(jù) GB/T30656-2014，4寸碳化硅單晶襯底加工標(biāo)準(zhǔn)如圖所示。  碳化硅晶片的拋光工藝可分為粗拋和精拋，粗拋為機(jī)械拋光，目的在于提高拋光的加工效率。碳化硅單晶襯底機(jī)械拋光的關(guān)鍵研究方向在于優(yōu)化工藝參數(shù)，改善晶片表面粗糙度，提高材料去除率。  目前，關(guān)于碳化硅晶片雙面拋光的報(bào)道較少，相關(guān)工藝

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國際第三代半導(dǎo)體年度盛會--吉致電子半導(dǎo)體拋光耗材受關(guān)注

  吉致電子受邀出席第九屆國際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS）暨第二十屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA），斬獲大會頒發(fā)的“品牌力量”獎(jiǎng)項(xiàng)。該獎(jiǎng)項(xiàng)由IFWS&SSLCHINA組委會頒發(fā)，是為發(fā)展第三代半導(dǎo)體和半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)所屬領(lǐng)域的優(yōu)秀企業(yè)和優(yōu)勢品牌所創(chuàng)立，獲得該獎(jiǎng)項(xiàng)是對吉致電子在半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域出色表現(xiàn)的高度認(rèn)可。  后摩爾時(shí)代，發(fā)展正當(dāng)時(shí)的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)迎來發(fā)展機(jī)遇。半導(dǎo)體業(yè)繼往開來進(jìn)入新的發(fā)展階段，論壇期間氛圍熱烈，學(xué)術(shù)報(bào)告、行業(yè)

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氮化鋁/氮化硅（AlN/SiN）陶瓷基板的研磨拋光

  氮化鋁/氮化硅（AlN/SiN）陶瓷基板的研磨拋光，需要用粗拋和精拋兩道工藝。粗拋液用來研磨快速去除表面缺陷和不良，精細(xì)拋光液用來平坦工件表面提升精度。吉致電子陶瓷專用研磨液/拋光液能減少研磨時(shí)間，同時(shí)提高陶瓷工件拋光的質(zhì)量，幫助客戶縮短工時(shí)提高工作效率。 陶瓷基板的研磨過程一般包括雙面研磨（35-60分鐘）和精細(xì)拋光（120分鐘）。在不到2.5小時(shí)的時(shí)間里，得到10-15納米的Ra。 氮化鋁/氮化硅散熱襯底拋光方案：①雙面研磨（35-60分鐘）搭配吉致電子類多晶研磨液 ②超精細(xì)拋

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吉致電子1um/3um/6um/7μm/9μm金剛石拋光液和研磨液

  吉致電子金剛石拋光液/研磨液包括單晶拋光液、多晶拋光液和類多晶拋光液。金剛石研磨液分為水基和油基兩類。  吉致電子1um/3um/6um/7μm/9μm金剛石拋光液金剛石拋光液濃度高，金剛石粒徑均勻，懸浮液分散充分。其特點(diǎn)是不結(jié)晶、不團(tuán)聚，磨削力強(qiáng)，拋光效果好。可以滿足高硬度材料、精密的微小元器件、高質(zhì)量表面要求的材料拋光需求。  金剛石拋光液采用優(yōu)質(zhì)金剛石微粉，結(jié)合吉致專利配方工藝，調(diào)配的CMP專用拋光液可最大限度的提高切削力和拋光效率。在實(shí)際使用中工件研磨速率穩(wěn)定，材料去除率高

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圣誕儀式感拉滿，吉致電子祝您幸福平安！

吉致電子科技“拍了拍你”！嗨，親愛的吉致伙伴們：May you have the best Christmas ever愿你度過最美好的圣誕節(jié)！MERRY CHRISTMAS 12月25日圣誕快樂。祝大家：平安喜樂，萬事順?biāo)臁?ldquo;誕”愿有你，一“鹿”前行，愿大家永遠(yuǎn)開心快樂，希望快樂不止圣誕！

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CMP化學(xué)機(jī)械拋光在半導(dǎo)體領(lǐng)域的重要作用

  化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）是半導(dǎo)體晶圓制造的關(guān)鍵步驟，這項(xiàng)工藝能有效減少和降低晶圓表面的不平整，達(dá)到半導(dǎo)體加工所需的高精度平面要求。拋光液(slurry)、拋光墊(pad)是CMP技術(shù)的關(guān)鍵耗材，分別占CMP耗材49%和33%的價(jià)值量，CMP耗材品質(zhì)直接影響拋光效果，對提高晶圓制造質(zhì)量至關(guān)重要。  CMP拋光液/墊技術(shù)壁壘較高，高品質(zhì)的拋光液需要綜合控制磨料硬度、粒徑、形狀、各成分質(zhì)量濃度等要素。拋光墊則更加看重低缺陷率和長使用壽命。配置多功能,高效率的拋光液是提升CMP效果的重要環(huán)節(jié)。&nbs

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吉致電子應(yīng)邀出席半導(dǎo)體國際論壇并斬獲獎(jiǎng)牌

  2023年11月28日第九屆國際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS）暨第二十屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA）在廈門開幕。IFWS&SSLCHINA是中國地區(qū)舉辦的、專業(yè)性最強(qiáng)、影響力最大的第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域國際性年度盛會，也是規(guī)模最大、規(guī)格最高的第三代半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈綜合性論壇。  吉致電子受邀出席大會，斬獲大會頒發(fā)的“品牌力量”獎(jiǎng)項(xiàng)。該獎(jiǎng)項(xiàng)由IFWS&SSLCHINA組委會頒發(fā)，是為發(fā)展第三代半導(dǎo)體和半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)所屬領(lǐng)域的優(yōu)秀企業(yè)和優(yōu)勢品牌所創(chuàng)立，

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金屬鉬片的CMP拋光工藝

  工廠的鉬片加工工藝采用粗磨、雙端面立磨等研磨工藝，粗磨的合格率僅在85％左右，整體平行度不良居多，造成產(chǎn)品合格率下降，也造成后續(xù)加工難度，這與金屬鉬的特性有關(guān)，目前鉬片采用CMP拋光工藝（拋光液+拋光墊）能達(dá)到鏡面效果。  鉬的特點(diǎn)：鉬是一種難溶金屬，具有很多優(yōu)良的物力化學(xué)和機(jī)械性能。由于原子間結(jié)合力極強(qiáng)，所以在常溫和高溫下強(qiáng)度均非常高。它的膨脹系數(shù)低，導(dǎo)電率大，導(dǎo)熱性好。在常溫下不與鹽酸、氫氟酸及堿溶液反應(yīng)，僅溶于硝酸、王水或濃硫酸之中，對大多數(shù)液態(tài)金屬、非金屬熔渣和熔融玻璃亦相當(dāng)穩(wěn)定。&

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吉致電子氮化鋁陶瓷基片拋光

氮化鋁陶瓷基板具有高導(dǎo)熱率、低介電常數(shù)、低熱膨脹系數(shù)、高機(jī)械強(qiáng)度、高耐腐蝕性等特點(diǎn)。其作為電路元件及互連線承載體，廣泛應(yīng)用再軍事和空間技術(shù)通訊、計(jì)算機(jī)、儀器儀表、半導(dǎo)體電子設(shè)備、汽車等各個(gè)領(lǐng)域。氮化鋁陶瓷經(jīng)過CMP拋光后可用于半導(dǎo)體激光器、固體繼電器、大功率集成電路及封裝等要求絕緣又高散熱的大功率器件上。吉致電子氮化鋁陶瓷拋光液可達(dá)鏡面效果，特點(diǎn)如下：1、納米級拋光液，拋光后具有較優(yōu)的粗糙度2、陶瓷基片拋光液綠色無污染、不含鹵素及重金屬元素3、拋光液可循環(huán)使用，根據(jù)工藝要求可添加去離子水稀釋氮化鋁陶瓷基板通過CMP

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吉致電子碳化硅SiC拋光液的作用

   拋光液是CMP的關(guān)鍵耗材之一，拋光液中的氧化劑與碳化硅SiC單晶襯底表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，生成薄且剪切強(qiáng)度很低的化學(xué)反應(yīng)膜，反應(yīng)膜（軟質(zhì)層）在磨粒的機(jī)械作用下被去除，露出新的表面，接著又繼續(xù)生成新的反應(yīng)膜，CMP工藝周而復(fù)始的進(jìn)行磨拋，達(dá)到表面平坦效果。  通過研磨工藝使用微小粒徑的金剛石研磨液，對SiC晶片進(jìn)行機(jī)械拋光加工后，可大幅度改善晶圓表面平坦度。但加工表面存在很多劃痕，且有較深的殘留應(yīng)力層和機(jī)械損傷層。為進(jìn)一步提高碳化硅晶圓表面質(zhì)量，改善粗糙度及平整度，，超精密拋光是SiC

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吉致電子榮獲第四屆亞太碳化硅及相關(guān)材料國際會議“優(yōu)秀組織獎(jiǎng)”

  2023年11月8日-10日第四屆亞太碳化硅及相關(guān)材料國際會議(APCSCRM 2023)在北京圓滿落幕。本次會議聚焦寬禁帶半導(dǎo)體相關(guān)材料及器件多學(xué)科主題，邀請全球60余位知名專家學(xué)者、龍頭企業(yè)、資本機(jī)構(gòu)蒞臨會議現(xiàn)場，通過大會報(bào)告、專場報(bào)告、高峰論壇、口頭報(bào)告、項(xiàng)目路演和墻報(bào)等形式，分享全球?qū)捊麕О雽?dǎo)體技術(shù)最新研究進(jìn)展，交換產(chǎn)業(yè)前瞻性觀點(diǎn)，展示企業(yè)先進(jìn)成果，促進(jìn)行業(yè)互聯(lián)互通。    吉致電子科技有限公司出席了此次會議，并在會議期間設(shè)有展臺。吉致電子的代表們與全球各地的專家

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吉致電子科技碳化硅研磨液的作用

  碳化硅研磨液的作用是去除切割過程中造成的SiC切片表面的刀痕以及表面損傷層。由于SiC的高硬度，研磨過程中必須使用高硬度的磨料（如碳化硼或金剛石粉）研磨SiC切片的晶體表面。研磨根據(jù)粗磨和精磨工藝的不同分別使用粗磨液、精磨液。  SiC粗磨液主要是去除切割造成的刀痕以及切割引起的變質(zhì)層，研磨液中會使用粒徑較大的磨粒，以提高加工效率。碳化硅晶圓精磨液主要是去除粗磨留下的表面損傷層，改善表面光潔度，并控制表面面形和晶片的厚度，利于后續(xù)的精細(xì)拋光，因此使用粒徑較細(xì)的磨粒研磨晶片。  為獲

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第三代半導(dǎo)體--碳化硅和氮化鎵的區(qū)別

  隨著國家對第三代半導(dǎo)體材料的重視，近年來我國半導(dǎo)體材料市場發(fā)展迅猛，其中以碳化硅SiC與氮化鎵NaG為主的材料備受關(guān)注，兩者經(jīng)常被拿來比較。  同為寬近帶半導(dǎo)體的成員，碳化硅SiC與氮化鎵NaG有何相同、有何不同呢？碳化硅與氮化家均屬于寬禁帶半導(dǎo)體材料，它們具有禁代寬度大、電子漂移飽和速度高、介電常數(shù)小、導(dǎo)電性能好的特點(diǎn)。  隨著市場對半導(dǎo)體器件微型化、導(dǎo)熱性的高要求，這類材料的市場需求暴漲，適用于制作抗輻射、高頻、大功率和高密度集成的電子器件。  ①性能不同：高電子遷移

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