吉致電子拋光材料 源頭廠(chǎng)家
25年 專(zhuān)注CMP拋光材料研發(fā)與生產(chǎn)

硅溶膠研磨液--精密工件鏡面拋光效果秘密

  吉致電子硅溶膠研磨液/拋光液采用的是納米級(jí)工藝，主要粒徑在10-150nm。適用于各種材質(zhì)工件的CMP表面鏡面處理。以硅溶膠漿料為鏡面的平面研磨的材料有半導(dǎo)體晶圓、光學(xué)玻璃、3C電子金屬元件、藍(lán)寶石襯底、LED顯示屏等高精密元件。  硅溶膠拋光液也稱(chēng)二氧化硅拋光液、氧化硅精拋液，SiO2是硅溶膠的化學(xué)名，適用范圍已擴(kuò)展到半導(dǎo)體產(chǎn)品的CMP拋光工藝中。  CMP拋光機(jī)可以將氧化硅研磨液循環(huán)引入磨盤(pán)，同時(shí)起到潤(rùn)滑和冷卻的作用，通過(guò)拋光液和拋光墊組合拋磨可以使工件表面粗糙度達(dá)到0.2um

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吉致電子陶瓷基板拋光液

  陶瓷基板材料的性能是陶瓷覆銅板性能的決定因素。目前，已應(yīng)用作為陶瓷覆銅板基板材料共有三種陶瓷，分別是氧化鋁陶瓷基板、氮化鋁陶瓷基板和氮化硅陶瓷基板。吉致電子陶瓷基板拋光液能拋磨這3種陶瓷材料，并達(dá)到理想RA值。淺談一下三種陶瓷基板的性能：  氧化鋁陶瓷基板：是最常用的陶瓷基板，由于它具有好的絕緣性、好的化學(xué)穩(wěn)定性、好的力學(xué)性能和低的價(jià)格，但由于氧化鋁陶瓷基片相對(duì)低的熱導(dǎo)率、與硅的熱膨脹系數(shù)匹配不好。作為高功率模塊封裝材料，氧化鋁材料的應(yīng)用前景不容樂(lè)觀。  氮化鋁覆銅板：在熱特性方面

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SIT Slurry平坦化流程與方法

淺槽隔離（shallow trench isolation），簡(jiǎn)稱(chēng)STI。是在襯底上制作的晶體管有源區(qū)之間隔離區(qū)的一種可選工藝，通常用于亞0.25um工藝以下，利用掩模完成選擇性氧化，主要絕緣材料是淀積SiO?，淺槽隔離主要分為三個(gè)部分：槽刻蝕，氧化硅填充，CMP拋光液平坦化。一，槽刻蝕1,隔離氧化硅生成：氧化硅用于保護(hù)有源區(qū)在去掉氮化硅時(shí)免受化學(xué)污染2,氮化硅(Si?N?)淀積：氮化硅是堅(jiān)硬的掩模材料，有助于保護(hù)STI氧化硅淀積過(guò)程中保護(hù)有源區(qū)；在化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)中充當(dāng)阻擋材料3,淺槽刻蝕：用氟基和氯基氣體

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SIC碳化硅的化學(xué)機(jī)械拋光工藝

  碳化硅Sic單晶生長(zhǎng)之后是晶碇，而且具有表面缺陷，是沒(méi)法直接用于外延的，這就需要加工。其中，滾圓把晶碇做成標(biāo)準(zhǔn)的圓柱體，線(xiàn)切割會(huì)把晶碇切割成晶片，各種表征保證加工的方向，而拋光則是提高晶片的質(zhì)量。  SiC表面的損傷層可以通過(guò)四種方法去除：機(jī)械拋光：簡(jiǎn)單但會(huì)殘留劃痕，適用于初拋；化學(xué)機(jī)械拋光：（Chemical Mechanical Polishing，CMP），引入化學(xué)腐蝕去除劃痕，適用于精拋；氫氣刻蝕：設(shè)備復(fù)雜，常用于HTCVD過(guò)程；等離子輔助拋光：設(shè)備復(fù)雜，不常用。選擇CMP

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3C鏡面拋光液用什么拋光液

  3C產(chǎn)品表面鏡面拋光一般不采用電解拋光方式，而是選擇CMP機(jī)械拋光工藝。SiO2拋光液用于3C工件的鏡面拋光工藝，主要由納米級(jí)磨料制備而成，規(guī)格一般在10nm-150nm拋光后的產(chǎn)品鏡面精度高，表面收光細(xì)膩。  氧化硅精拋液進(jìn)行精拋工藝后，工件可以從霧面提升到鏡面透亮的效果。拋光液配合精拋皮使用，鏡面效果檢測(cè)可達(dá)納米級(jí)。3C金屬拋光液用于鏡面要求較高的工件拋光，因此必須做好前道工序。先粗拋打好基礎(chǔ)，再精拋去除缺陷和不良效果。  有客戶(hù)使用二氧化硅拋光液后工件表面會(huì)產(chǎn)生麻點(diǎn)，這是由于

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吉致電子拋光液---溫度對(duì)藍(lán)寶石襯底CMP工藝的影響

  溫度在藍(lán)寶石襯底拋光中起著非常重要的作用, 它對(duì)CMP工藝的影響體現(xiàn)在拋光的各個(gè)環(huán)節(jié)。  在CMP工藝的化學(xué)反應(yīng)過(guò)程和機(jī)械去除過(guò)程這兩個(gè)環(huán)節(jié)中, 受溫度影響十分強(qiáng)烈。一般來(lái)說(shuō), 拋光液溫度越高, 拋光速率越高, 表面平坦度也越好, 但化學(xué)腐蝕嚴(yán)重, 表面完美性差。所以, 藍(lán)寶石拋光液/研磨液溫度必須控制在合適的范圍內(nèi), 這樣才能滿(mǎn)足圓晶片的平坦化要求。實(shí)驗(yàn)表明, 拋光液在40℃左右的時(shí)候, 拋光速率達(dá)到了最大值, 隨著溫度繼續(xù)升高, 拋光速率的上升趨于平緩, 并且產(chǎn)生拋光液蒸騰現(xiàn)象。&nbs

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藍(lán)寶石拋光液--拋光磨料粒徑、濃度及流速的影響

藍(lán)寶石拋光液磨料粒徑、濃度及流速的影響研究表明，在其它條件相同情況下, 隨著藍(lán)寶石拋光漿料濃度的增大, 拋光速率增大。對(duì)于粒徑為80nm的研磨料: 藍(lán)寶石拋光液的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為10% 時(shí), CMP去除速率為572.2nm /m in; 而隨著質(zhì)量分?jǐn)?shù)增大至15%時(shí),CMP去除速率增大至598.8nm/min; 質(zhì)量分?jǐn)?shù)繼續(xù)增大至20% 時(shí), CMP去除速率則增大至643.3nm/min。這主要是因?yàn)樗{(lán)寶石拋光液濃度的增大, 使得拋光過(guò)程中參與機(jī)械磨削的粒子數(shù)增多, 相應(yīng)的有效粒子數(shù)也增多, 粒徑一定的情況下,

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吉致電子藍(lán)寶石研磨液CMP減薄工藝

  藍(lán)寶石研磨液/拋光液，是通過(guò)化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)（CMP Chemical Mechanical Polishing ） 用于藍(lán)寶石襯底、窗口片的研磨和減薄，達(dá)到減薄尺寸、表面平坦化效果。  吉致電子藍(lán)寶石研磨液由優(yōu)質(zhì)聚晶金剛石微粉、復(fù)合分散劑和分散介質(zhì)組成。藍(lán)寶石研磨液利用聚晶金剛石的特性，在研磨拋光過(guò)程中保持高切削效率的同時(shí)不易對(duì)工件產(chǎn)生劃傷。  吉致電子藍(lán)寶石研磨液、CMP拋光液可以應(yīng)用在藍(lán)寶石襯底的研磨和減薄、光學(xué)晶體、硬質(zhì)玻璃和晶體、超硬陶瓷和合金、磁頭、硬盤(pán)、芯片等領(lǐng)域的研

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稀土拋光液--氧化鈰拋光液的種類(lèi)

  隨著光學(xué)技術(shù)和集成電路技術(shù)的飛速發(fā)展，對(duì)光學(xué)元件的精密和超精密拋光以及集成電路的CMP拋光工藝的要求越來(lái)越高，甚至達(dá)到了極其苛刻的程度，尤其是在表面粗糙度和缺陷的控制方面。鈰系稀土拋光液因其切削能力強(qiáng)、拋光精度高、拋光質(zhì)量好、使用壽命長(zhǎng)，在光學(xué)精密拋光領(lǐng)域發(fā)揮了極其重要的作用。吉致電子氧化鈰拋光液的種類(lèi)和固含量可按拋光工件的用途來(lái)分：根據(jù)氧化鈰的含量，氧化鈰拋光液可分為低鈰、中鈰和高鈰拋光液，其切削力和使用壽命也由低到高。1.含95%以上氧化鈰的鈰拋光液呈淡黃色，比重約7.3。主要適用于精密光學(xué)鏡片的

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半導(dǎo)體拋光液--球型二氧化硅拋光液的用途

  球形硅微粉作為拋光液磨料，可大大提高產(chǎn)品的剛性、耐磨性、耐候性、抗沖擊性、耐壓性、抗拉性、阻燃性、良好的耐電弧絕緣性和耐紫外線(xiàn)輻射性。讓我們來(lái)看看球型二氧化硅拋光液在電子芯片中的一些應(yīng)用。  精密研磨粉高純球形硅粉用于光學(xué)器件和光電行業(yè)的精密研磨，特別適用于半導(dǎo)體單晶多晶硅片、顯像管玻殼玻屏、光學(xué)玻璃、液晶顯示器(LCD、LED)玻璃基板、壓電晶體、化合物半導(dǎo)體材料(砷化鎵、磷化銦)、磁性材料等半導(dǎo)體行業(yè)的研磨拋光。  吉致電子用高純球形硅粉制備成的超高純硅溶膠拋光液slurry,

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納米氧化硅拋光液的特點(diǎn)

  納米二氧化硅拋光液由高純納米氧化硅SiO2等多種復(fù)合材料配置而成，通過(guò)電解法或離子交換法制備成納米拋光液，硅拋光液磨料分散性好，具有高強(qiáng)度、高附著力、成膜性好、高滲透、高耐候性、高耐磨性等特點(diǎn)，是一種性能優(yōu)良的CMP拋光材料。廣泛應(yīng)用于金屬或半導(dǎo)體電子封裝拋光工藝中。吉致電子硅拋光液，CMP拋光slurry應(yīng)用范圍：1、可用于微晶玻璃的表面拋光加工中。2、用于硅片的粗拋和精拋以及IC加工過(guò)程，適用于大規(guī)模集成電路多層化薄膜的平坦化加工。3、用于晶圓的后道CMP清洗等半導(dǎo)體器件的加工過(guò)程、平面顯示器、多

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半導(dǎo)體拋光液---半導(dǎo)體材料有哪些？

  半導(dǎo)體業(yè)內(nèi)從材料端分為：第一代元素半導(dǎo)體材料，如硅（Si）和鍺(Ge)；第二代化合物半導(dǎo)體材料：如砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）等；第三代寬禁帶材料：如碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、氮化鋁（ALN）、氧化鎵（Ga2O3）等。  碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）、氮化鋁（ALN）、氧化鎵（Ga2O3）等，因?yàn)榻麕挾却笥?.2eV統(tǒng)稱(chēng)為寬禁帶半導(dǎo)體材料，在國(guó)內(nèi)也稱(chēng)為第三代半導(dǎo)體材料。其中碳化硅和氮化鎵是目前商業(yè)前景最明朗的半導(dǎo)體材料，堪稱(chēng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)內(nèi)新一代“黃金賽道&

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吉致電子Slurry拋光漿料--阻擋層拋光液

  目前，超大規(guī)模集成電路芯片的集成度已經(jīng)達(dá)到了數(shù)十億個(gè)元件，特征尺寸已經(jīng)達(dá)到了納米級(jí)，這就需要微電子技術(shù)中的數(shù)百道工序，尤其是多層布線(xiàn)、襯底、介質(zhì)等必須通過(guò)CMP化學(xué)機(jī)械技術(shù)，拋光液和拋光墊磨拋達(dá)到平坦化。VLSI布線(xiàn)正從傳統(tǒng)的鋁布線(xiàn)工藝向銅布線(xiàn)工藝轉(zhuǎn)變。  銅材質(zhì)具有快速遷移的特性，容易通過(guò)介質(zhì)層擴(kuò)散，導(dǎo)致相鄰銅線(xiàn)之間漏電，進(jìn)而導(dǎo)致器件特性失效。一般在沉積銅之前，在介質(zhì)襯底上沉積擴(kuò)散阻擋層，工業(yè)上已經(jīng)廣泛使用的阻擋層材料是tan/ta。  化學(xué)拋光(CMP)技術(shù)slurry拋光漿料

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陶瓷覆銅板DPC/DBC研磨拋光液工藝

  陶瓷覆銅板的制作工藝主要是DPC工藝和DBC工藝，DPC產(chǎn)品具備線(xiàn)路精準(zhǔn)度高與表面平整度高的特性,非常適用于覆晶/共晶工藝,配合高導(dǎo)熱的陶瓷基體,顯著提升了散熱效率,是最適合高功率、小尺寸發(fā)展需求的陶瓷散熱基板。陶瓷覆銅基板需要用到CMP拋光工藝，利用拋光液和拋光墊達(dá)到表面光潔度或鏡面效果。  CMP拋光液對(duì)陶瓷覆銅基板的拋光研磨，可以做到粗拋、中拋、精拋效果。粗拋工藝，陶瓷覆銅板表面去除率高，快速拋磨。精拋工藝，基板表面無(wú)劃痕，可達(dá)反光鏡面效果。吉致電子針對(duì)陶瓷覆銅板制備的拋光研

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吉致電子--不銹鋼工件的研磨拋光工序

不銹鋼拋光液CMP拋光液，主要應(yīng)用于不銹鋼工件表面研磨拋光工藝，不銹鋼拋光液一般有去粗、粗拋、中拋、精拋鏡面四道流程。去粗工藝:不銹鋼拋光液用較粗磨料配方液先去除表面刀痕、毛刺，切割線(xiàn)等痕跡，研磨去除部分余料；的粗拋工藝:研磨移除劃痕和刀痕，提高表面平整度；中拋工藝:進(jìn)階拋光劃痕、麻點(diǎn)，拋光霧面，不銹鋼中拋液提高不銹鋼工件表面亮度。精拋鏡面拋光：用不銹鋼精拋液精細(xì)化拋磨，保持工件表面的亮度升級(jí)亮度反光度，不銹鋼表面達(dá)到反光鏡面。吉致電子CMP手機(jī)鈦合金件研磨拋光液/鋁合金件研磨拋光液/鎂合金件研磨拋光液/不銹鋼研磨

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不銹鋼拋光液的CMP鏡面拋光

  手機(jī)、電腦、平板電腦等移動(dòng)終端設(shè)備，會(huì)用到不銹鋼、鈦合金、鋁合金等金屬材質(zhì)，為了達(dá)到增強(qiáng)光澤度和平坦度，金屬手機(jī)工件需要Logo拋光、攝像頭保護(hù)件拋光、手機(jī)按鍵拋光、手機(jī)邊框拋光等工藝流程。目前3C電子設(shè)備用到最多的拋光方式為CMP拋光工藝，最常用的金屬拋光液--不銹鋼拋光液。  吉致電子不銹鋼拋光液針對(duì)這些不銹鋼工件的拋光設(shè)計(jì)而成，適用于拋光304、316和316L等不銹鋼材料。可用于不銹鋼件的粗拋、中拋和精拋工藝，以達(dá)到鏡面效果。不銹鋼拋光液經(jīng)過(guò)特殊配方調(diào)配，化學(xué)拋光作用溫和，對(duì)機(jī)臺(tái)和工

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吉致電子淺槽隔離拋光液怎么用

  吉致電子淺槽隔離拋光液適用范圍：?jiǎn)尉Ч?、多晶硅的研磨拋光，存?chǔ)器制程和背照式傳感器(BSI)制程等。  STI Slurry 適用于集成電路當(dāng)中的銅互連工藝制程中銅的去除和平坦化。具有高的銅去除速率，碟型凹陷可調(diào)，低缺陷等特性?？蓱?yīng)用于邏輯芯片以及3D NAND和DRAM芯片等量產(chǎn)使用。清除集成電路中銅拋光后表面的拋光顆粒和化學(xué)物殘留，以防銅表面腐蝕，降低表面缺陷。  可定制選擇穩(wěn)定的選擇比，去除速率，對(duì)氧化物/氮化物的選擇比。硅精拋液系列具有低缺陷的優(yōu)點(diǎn)。BS

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吉致電子CMP不銹鋼拋光液的特點(diǎn)

吉致電子CMP拋光液在不銹鋼材料的表面精密加工工藝中，能夠獲得高亮度、無(wú)視覺(jué)缺陷的拋光效果，在手機(jī)、pad、數(shù)碼相機(jī)等電子產(chǎn)品中有很好的應(yīng)用。吉致電子不銹鋼拋光液在實(shí)際應(yīng)用中憑借高濃度、高稀釋比例等卓越的性能得到了客戶(hù)的充分肯定，主要用于不銹鋼的CMP工藝，目前已在國(guó)內(nèi)主流的手機(jī)代工客戶(hù)處得到良好的應(yīng)用。能拋光不銹鋼LOGO鏡面，拋光后光滑如鏡，不出現(xiàn)R角，無(wú)麻點(diǎn)，無(wú)劃傷，無(wú)拋光紋，達(dá)到理想的光潔度。不銹鋼拋光液的特點(diǎn)：①能夠在不銹鋼的CMP過(guò)程中大大提高表面的光亮度和平坦化。②不銹鋼拋光液具有表面張力低、易清洗、

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金屬手機(jī)邊框的鏡面拋光方法是什么？

  手機(jī)金屬外殼/手機(jī)邊框材質(zhì)一般為不銹鋼、鈦合金、鋁合金等，如華為\Iphone手機(jī)金屬邊框要達(dá)到完美的鏡面效果需要精拋步驟----手機(jī)鏡面拋光液slurry的主要成份是二氧化硅，二氧化硅拋光液外觀為乳白色，呈懸浮液狀態(tài)，在拋光過(guò)程中起到收光磨料的作用。  金屬手機(jī)精拋液的主要技術(shù)要求是什么呢？①鏡面拋光液PH值的選擇：PH值高低很可能會(huì)影響到最終的拋光效果，高低差別會(huì)導(dǎo)致手機(jī)金屬工件發(fā)黑氧化，以及麻點(diǎn)和起霧，所以如何控制PH值非常重要。②鏡面拋光液磨粒大小的選擇：氧化硅磨料顆粒大小，直接影響

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碳化硅襯底CMP拋磨工藝流程

碳化硅襯底CMP化學(xué)機(jī)械拋光工藝需要用到吉致電子CMP拋光液和拋光墊，拋磨工藝一般分為3道流程：雙面拋磨、粗拋、精拋。下面來(lái)看看吉致電子小編碳化硅晶圓拋光工藝介紹和拋光產(chǎn)品推薦吧。碳化硅襯底雙面研磨：一般使用雙面鑄鐵盤(pán)配合吉致電子金剛石研磨液或者碳化硅晶圓研磨液進(jìn)行加工；主要目的是去除線(xiàn)切損傷層以及改善晶片的平坦度。碳化硅襯底粗拋工藝：針對(duì)碳化硅襯底加工采用專(zhuān)門(mén)的碳化硅晶圓拋光液配合粗拋墊。既可以達(dá)到傳統(tǒng)工藝中較高的的拋光速率（與精磨基本相當(dāng)）又可以達(dá)到傳統(tǒng)工藝中粗拋后的表面光潔度。碳化硅襯底精拋工藝：SIC晶圓精

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