吉致電子拋光材料 源頭廠家
25年 專注CMP拋光材料研發(fā)與生產(chǎn)

如何解決氧化硅拋光液結(jié)晶問題

 二氧化硅拋光液在拋光過程中會(huì)出現(xiàn)結(jié)晶結(jié)塊的現(xiàn)象，雖然不是大問題但如果處理不當(dāng)，很可能會(huì)導(dǎo)致工件表面劃傷甚至報(bào)廢，那么怎么解決氧化硅拋光液結(jié)晶問題呢？  首先要了解硅溶膠拋光液的特點(diǎn)屬性。二氧化硅拋光液是以高純度硅粉為原料，經(jīng)水解法離子、交換法制備成的一種高純度低金屬離子型產(chǎn)品。在水性環(huán)境中容易形成一種離子網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，而一脫離了水份，表面積迅速凝結(jié)形成結(jié)晶塊，所以只要保持水分基本上是不會(huì)出現(xiàn)結(jié)晶現(xiàn)象。在實(shí)際CMP拋光工藝當(dāng)中硅溶膠拋光液會(huì)一直在研磨盤轉(zhuǎn)動(dòng)、流動(dòng)，結(jié)晶情況較少。  因此氧化

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藍(lán)寶石窗口平面加工--藍(lán)寶石研磨液

 藍(lán)寶石平面視窗、精密質(zhì)量藍(lán)寶石視窗、高精度質(zhì)量藍(lán)寶石視窗是為各種光學(xué)、機(jī)械和電子應(yīng)用提供了強(qiáng)度、耐磨性、化學(xué)惰性適用于光學(xué)和激光應(yīng)用，這些藍(lán)寶石窗口設(shè)計(jì)用于關(guān)鍵的光學(xué)和激光應(yīng)用。藍(lán)寶石窗口的制程中關(guān)鍵步驟需要用到CMP研磨拋光工藝，藍(lán)寶石研磨液適合用于大批量藍(lán)寶石窗口的生產(chǎn)應(yīng)用。  藍(lán)寶石拋光液以高純度氧化硅原料制備而成，具有懸浮性好，不易結(jié)晶，易清洗等特點(diǎn)。用于藍(lán)寶石工件的鏡面研磨，研磨后的工件表面粗糙度低，無劃傷，表面質(zhì)量度高。吉致電子生產(chǎn)研發(fā)的藍(lán)寶石窗口CMP拋光研磨液，性能穩(wěn)

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藍(lán)寶石晶圓怎么研磨--sapphire wafer拋光液實(shí)現(xiàn)高平坦度表面

  吉致電子藍(lán)寶石研磨液sapphire slurry又稱為藍(lán)寶石拋光液。專業(yè)用于藍(lán)寶石襯底、外延片、窗口、藍(lán)寶石wafer的減薄和拋光。藍(lán)寶石拋光液由純度高的磨粒、復(fù)合分散劑和分散介質(zhì)組成，具有穩(wěn)定性高、不沉降不易結(jié)晶、拋光速度快的優(yōu)點(diǎn)。   通過CMP工藝搭配藍(lán)寶石專用slurry可實(shí)現(xiàn)藍(lán)寶石晶圓的高平坦度加工,吉致電子拋光液利用納米SiO2粒子研磨表面,不會(huì)對加工件造成物理損傷,達(dá)到精密加工。藍(lán)寶石CMP拋光液的低金屬的成分，可以有效防止產(chǎn)品受到污染。  &n

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什么是OX研磨液?吉致電子氧化層拋光液性能有哪些？

  Oxide slurry 簡稱OX氧化物研磨液廣泛用于氧化層材料的CMP拋光，拋光研磨后達(dá)到精準(zhǔn)的表面平整度和厚度控制，如Si Wafer晶圓表面的氧化硅層或者上層金屬與氧化硅之間的氧化硅層等。  吉致電子OX氧化層拋光液適用于4-12英寸氧化硅鍍膜片的氧化層拋光液。JEEZ半導(dǎo)體拋光液性能優(yōu)點(diǎn)：①使用純度高的納米拋光磨料，擁有高速率加工能力;②slurry粒徑大小均勻因此能獲得無缺陷的表面；③ 吉致Oxide slurry 易清洗無殘留，對后續(xù)工藝影響小。 

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第三代半導(dǎo)體材料--碳化硅晶圓SiC拋光液

  隨著硅半導(dǎo)體材料主導(dǎo)的摩爾定律逐漸走向其物理極限，同時(shí)硅也滿足不了微波射頻、高效功率電子和光電子等新需求快速發(fā)展的需要，以化合物半導(dǎo)體材料，特別是第三代半導(dǎo)體為代表的半導(dǎo)體新材料快速崛起。  碳化硅是新型電力系統(tǒng)，特高壓電網(wǎng)必需的可達(dá)萬伏千安等級的唯一功率半導(dǎo)體材料，同時(shí)也是高鐵和新能源汽車牽引、電控系統(tǒng)的“心臟”。從國際技術(shù)發(fā)展水平來看，碳化硅方面，8英寸襯底開始產(chǎn)業(yè)化，車規(guī)級功率器件是當(dāng)前開發(fā)重點(diǎn)，多家廠商已推出大功率模組及高溫封裝產(chǎn)品，碳化硅器件正向耐受更高電壓

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吉致電子手機(jī)取卡針拋光液

  吉致電子手機(jī)液態(tài)金屬拋光液，手機(jī)取卡針拋光液，研磨拋光漿料為粗拋、中拋、精拋漿料懸浮性好，特點(diǎn)是不易沉淀、不結(jié)晶、不腐蝕機(jī)臺，易于清洗。  適用于3C電子產(chǎn)品，手機(jī)電子元器件、液態(tài)金屬、喇叭網(wǎng)聽筒/手機(jī)音量鍵、碳素鋼拋光液可以迅速去除CNC刀紋、底紋等，拋光后無劃傷、橘皮、坑點(diǎn)、針眼等缺陷不含重金屬以及有害物質(zhì)、環(huán)保無危害，可接觸皮膚。  產(chǎn)品運(yùn)用拋光液中的CMP化學(xué)機(jī)械作用，提高拋光速率改善拋光表面的質(zhì)量顆粒粒徑分布適中，最大程度提升拋光速率的同時(shí)降低微劃傷的概率顆粒分散性好，有

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半導(dǎo)體行業(yè)CMP化學(xué)機(jī)械平坦化工藝Slurry

  Chemical Mechanical Plamarization化學(xué)機(jī)械平坦化工藝，應(yīng)用于各種集成電路及半導(dǎo)體行業(yè)等減薄與平坦化加工。  CMP工藝融合了化學(xué)研磨和物理研磨的過程，而單一的化學(xué)或物理研磨在表面精度、粗糙度、均勻性、材料去除率及表面損失程度上都不能同時(shí)滿足要求。CMP工藝兼具了二者的優(yōu)點(diǎn)，通過拋光液/研磨液（slurry）與拋光墊（Pad）化學(xué)機(jī)械作用，在保證材料去除效率的同時(shí)，得到準(zhǔn)確的表面材料層的厚度，獲得較好的晶圓表面平坦度和均勻性，實(shí)現(xiàn)納米級甚至原子級的表面粗糙度，同

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CMP金剛石懸浮液/研磨液的特點(diǎn)及應(yīng)用

吉致電子金剛石研磨液產(chǎn)品特點(diǎn)：（1）磨料類型多樣化，包含單晶、多晶、類多晶及納米級金剛石等；（2）金剛石懸浮液包含水性、油性及乳化型；（3）金剛石研磨液粘度可調(diào)整，包含低粘度、中等粘度和高粘度；吉致電子金剛石懸浮液/研磨液應(yīng)用領(lǐng)域：1、拋光液CMP半導(dǎo)體晶片加工：藍(lán)寶石、碳化硅、氮化鎵等半導(dǎo)體晶片;2、拋光液陶瓷加工：氧化鋯指紋識別片、氧化鋯陶瓷手機(jī)后殼及其它功能陶瓷;3、拋光液用于金屬材料加工：不銹鋼、模具鋼、鋁合金及其它金屬材料。吉致電子CMP研發(fā)生產(chǎn)廠家，產(chǎn)品質(zhì)量和效果媲美進(jìn)口slurry，CMP拋光液粒度規(guī)

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CMP拋光液---納米氧化鈰拋光液的優(yōu)點(diǎn)

  通?；瘜W(xué)機(jī)械研磨拋光工藝使用的CMP拋光液有金剛石拋光液、氧化硅拋光液、氧化鋁拋光液及氧化鈰拋光液（又稱稀土拋光液）。  納米氧化鈰為水性液體是吉致電子采用先進(jìn)的分散工藝，將納米氧化鈰粉體分散在水相介質(zhì)中，形成高度分散化、均勻化和穩(wěn)定化的納米氧化鈰水性懸浮液。1.在拋光材料應(yīng)用中，納米CeO2拋光液相對硅溶膠，具有拋光劃傷少、拋光速度快、易清洗良品率高等優(yōu)勢，且PH中性，使用壽命長、對拋光表面污染小，不易風(fēng)干。2.在拋光軍用紅外激光硅片、異型硅、超薄硅片方面上，尤其是拋光超薄硅片，納米氧化鈰

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吉致電子常見的CMP研磨液

  CMP 化學(xué)機(jī)械拋光液slurry的主要成分包括：磨料、添加劑和分散液。添加劑的種類根據(jù)產(chǎn)品適用場景也有所不同，分金屬拋光液和非金屬拋光液。金屬CMP拋光液含：金屬絡(luò)合劑、腐蝕抑制劑等。非金屬CMP拋光液含：各種調(diào)節(jié)去除速率和選擇比的添加劑。  根據(jù)拋光對象不同，拋光液可分為銅拋光液、鎢拋光液、硅拋光液和鈷拋光液等類別。其中，銅拋光液和鎢拋光液主要用于邏輯芯片和存儲(chǔ)芯片制造過程，在10nm 及以下技術(shù)節(jié)點(diǎn)中，鈷將部分代替銅作為導(dǎo)線；硅拋光液主要用于硅晶圓初步加工過程中。吉致電子常見的CMP研

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研磨液廠家--- 什么是CMP研磨液Slurry

  CMP研磨液（Slurry）是化學(xué)機(jī)械平面工藝中的研磨材料和化學(xué)添加劑的混合物。Slurry主要是由磨料 、表面活性劑、氧化劑、PH緩沖膠和防腐劑等成分組成。其中磨料一般包括二氧化硅（SiO2）、 三氧化二鋁（Al2O3）、 氧化鈰（CeO2）,金剛石（單晶、多晶）等。  通俗來講，芯片制造就像蓋高樓，一層一層往上疊加，要想樓不塌，在制造下一層前必須確保本層的平坦度，這就是CMP平坦化的訴求。Wafer晶圓在制造過程中表面上是不平坦的，比如CVD、PVD、EPI、Tungsten Plug等

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銅化學(xué)機(jī)械拋光液---什么是TSV技術(shù)？

銅機(jī)械化學(xué)拋光液---什么是TSV技術(shù)？TSV全稱為：Through -Silicon-Via，中文譯為：硅通孔技術(shù)。它是通過在芯片和芯片之間、晶圓和晶圓之間制作垂直導(dǎo)通；TSV技術(shù)通過銅、鎢、多晶硅等導(dǎo)電物質(zhì)的填充，實(shí)現(xiàn)硅通孔的垂直電氣互連，實(shí)現(xiàn)芯片之間互連的最新技術(shù)。TSV也是繼線鍵合（Wire Bonding）、TAB和倒裝芯片（FC）之后的第四代封裝技術(shù)。TSV的顯著優(yōu)勢：TSV可以通過垂直互連減小互聯(lián)長度，減小信號延遲，降低電容/電感，實(shí)現(xiàn)芯片間的低功耗，高速通訊，增加寬帶和實(shí)現(xiàn)器件集成的小型化。吉致電子

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拋光液廠家--CMP拋光液用于幾代半導(dǎo)體材料？

  CMP拋光液用于幾代半導(dǎo)體材料？  CMP拋光液越來越多的應(yīng)用于第三代半導(dǎo)體材料的拋光，科研方向朝著攻克拋光液技術(shù)門檻和市場壁壘發(fā)展。CMP工藝的集成電路比例在不斷增加，對CMP材料種類和用量的需求也在增加。更先進(jìn)的邏輯芯片工藝可能會(huì)要求拋光新的材料，為CMP拋光材料帶來了更多的增長機(jī)會(huì)。  目前，第三代半導(dǎo)體材料主要以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、氧化鋅（ZnO）、金剛石、氮化鋁（AlN）為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料。這代半導(dǎo)體具有更寬的禁帶寬度、更高的導(dǎo)熱率、更高的抗輻射能力

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不銹鋼工件原始品質(zhì)對CMP拋光效果的影響

  不銹鋼鏡面拋光效果的優(yōu)良，不僅取決于拋光方案設(shè)計(jì)、拋光耗材（CMP拋光液、拋光墊）選擇和拋光參數(shù)設(shè)置，不銹鋼拋光工件的原始品質(zhì)也影響到最終的拋光的效果。當(dāng)拋光效果不盡人意時(shí)，不僅要對拋光方案、所使用耗材的品質(zhì)進(jìn)行評估和優(yōu)化，同時(shí)對于工件的質(zhì)量也要有所考慮。  不銹鋼工件品質(zhì)對CMP拋光工藝的影響1.優(yōu)質(zhì)的的不銹鋼工件是獲得良好拋光質(zhì)量的前提條件，工件表面硬度不均或特性上有差異都會(huì)對拋光產(chǎn)生一定的困難。金屬工件中的夾雜物和氣孔都是影響拋光的不利因素。2.電火花加工后的金屬表面難以研磨，若未在加

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吉致電子---氧化鈰研磨液在半導(dǎo)體CMP制程中的作用

  粒徑30-50nm的球形氧化鈰研磨液用于半導(dǎo)體芯片制程：應(yīng)用于芯片制程中氧化硅薄膜、集成電路STI(淺溝槽隔離層)CMP  STI目前已成為器件之間隔離的關(guān)鍵技術(shù)，目前已取代LOCOS(硅的局部氧化)技術(shù)。其主要步驟包括在純硅片上刻蝕淺溝槽、進(jìn)行二氧化硅沉積、后用CMP技術(shù)進(jìn)行表面平坦化。目前的研究表明采用納米氧化鈰作為CMP磨料，在拋光效率及效果上均優(yōu)于其他產(chǎn)品。  納米氧化鈰拋光液在硅晶圓CMP平坦化的效果優(yōu)異  粒徑小于100nm的球形氧化鈰拋光液用于單晶硅片表面C

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CMP拋光液廠家---蘋果Logo專用拋光液

  果粉們時(shí)常被MacBook，Iphone上閃閃發(fā)光的Apple Logo所驚艷到，那么蘋果手機(jī)和筆記本上的金屬Logo是如何實(shí)現(xiàn)鏡面工藝的呢？

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吉致電子拋光液--CMP拋光工藝在半導(dǎo)體行業(yè)的應(yīng)用

  CMP化學(xué)機(jī)械拋光應(yīng)用于各種集成電路及半導(dǎo)體行業(yè)等減薄與平坦化拋光，吉致電子拋光液在半導(dǎo)體行業(yè)的應(yīng)用，主要為STI CMP、Oxide CMP、ILD CMP、IMD CMP提供拋光漿料與耗材。  CMP一般包括三道拋光工序，包括CMP拋光液、拋光墊、拋光蠟、陶瓷片等。拋光研磨工序根據(jù)工件參數(shù)要求，需要調(diào)整不同的拋光壓力、拋光液組分、pH值、拋光墊材質(zhì)、結(jié)構(gòu)及硬度等。CMP拋光液和CMP拋光墊是CMP工藝的核心要素，直接影響工件表面的拋光質(zhì)量。  在半導(dǎo)體行業(yè)CMP環(huán)節(jié)之中，也存在

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藍(lán)寶石拋光液是不是二氧化硅拋光液

藍(lán)寶石拋光液是不是二氧化硅拋光液？藍(lán)寶石拋光液是以高純度硅粉為原料，經(jīng)特殊工藝制備成的一種低金屬離子CMP拋光液，是一種高純度的氧化硅拋光液，廣泛應(yīng)用于多種材料的納米級高平坦化拋光。吉致電子生產(chǎn)的藍(lán)寶石拋光液主要用于藍(lán)寶石襯底研磨減薄，藍(lán)寶石A向拋光液，藍(lán)寶石C向拋光液等。拋光范圍如：硅片、鍺片、化合物晶體磷化銦、砷化鎵、精密光學(xué)器件、寶石飾品、金屬鏡面等研磨拋光加工。藍(lán)寶石拋光液Sapphire Slurry的特點(diǎn)：1.高純度（Cu含量小于50 ppb），有效減小對電子類產(chǎn)品的污染。2.高拋光速率，利用大粒徑的膠

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2023吉致電子春節(jié)放假通知

尊敬的客戶:新春伊始，萬象更新，值此春節(jié)到來之際，無錫吉致電子科技有限公司全體員工感謝您長期以來對我司的支持與厚愛!向您致以最誠摯的祝福和問候!一路走來，有您相伴，因?yàn)槟闹С郑覀冃判陌俦?！因?yàn)槟暮献?，我們碩果累累！因?yàn)槟闹笇?dǎo)，我們不斷進(jìn)步！因?yàn)槟暮亲o(hù)，我們心存感激！吉致電子科技有限公司期待與您攜手共進(jìn)，共同創(chuàng)造一個(gè)共贏輝煌的2023年，在新的一年里，我司會(huì)持續(xù)為您提供更優(yōu)質(zhì)的服務(wù)!公司春節(jié)放假時(shí)間具體安排如下:放假時(shí)間: 2023年1月14日--1月28日  開工時(shí)間：2023年1月29日因放假

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SiO2二氧化硅拋光液--硅溶膠粒徑大小的區(qū)別

  二氧化硅拋光液SiO2 Slurry的制備中主要成分是納米硅溶膠，一般分為大粒徑硅溶膠和小粒徑硅溶膠，那么怎么定義硅溶膠粒徑大小呢，吉致電子小編為您詳解： 大粒徑硅溶膠與小粒徑硅溶膠的定義 CMP精拋液中納米硅溶膠顆粒的粒徑為10-50nm，這個(gè)粒徑范圍的硅溶膠在市場上最常見，價(jià)格也相對便宜。如果對硅溶膠的純度和pH值沒有特殊要求，這種規(guī)格的硅溶膠價(jià)格相對比較便宜。 大粒徑硅溶膠:粒徑＞50nm的硅溶膠一般可稱為大粒徑硅溶膠。吉致電子科技生產(chǎn)的大粒徑硅溶膠最大可達(dá)150n

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