目前，超大規(guī)模集成電路芯片的集成度已經(jīng)達(dá)到了數(shù)十億個(gè)元件，特征尺寸已經(jīng)達(dá)到了納米級(jí)，這就需要微電子技術(shù)中的數(shù)百道工序，尤其是多層布線(xiàn)、襯底、介質(zhì)等必須通過(guò)CMP化學(xué)機(jī)械技術(shù)，拋光液和拋光墊磨拋達(dá)到平坦化。VLSI布線(xiàn)正從傳統(tǒng)的鋁布線(xiàn)工藝向銅布線(xiàn)工藝轉(zhuǎn)變。

  銅材質(zhì)具有快速遷移的特性，容易通過(guò)介質(zhì)層擴(kuò)散，導(dǎo)致相鄰銅線(xiàn)之間漏電，進(jìn)而導(dǎo)致器件特性失效。一般在沉積銅之前，在介質(zhì)襯底上沉積擴(kuò)散阻擋層，工業(yè)上已經(jīng)廣泛使用的阻擋層材料是tan/ta。

  化學(xué)拋光(CMP)技術(shù)slurry拋光漿料仍然是銅布線(xiàn)平面化最有效的工藝。隨著半導(dǎo)體制程的不斷縮小，銅互連布線(xiàn)的寬度和銅膜的厚度減小，這要求過(guò)度拋光的持續(xù)時(shí)間逐漸縮短。同時(shí)，由于工藝的收縮，不同線(xiàn)寬的銅線(xiàn)尺寸比有所增加，過(guò)度拋光可能導(dǎo)致更大的凹陷。吉致電子阻擋層拋光液的配方設(shè)計(jì)可以在較低的拋光壓力條件下實(shí)現(xiàn)介質(zhì)層/銅的拋光速率選擇比可調(diào)，實(shí)現(xiàn)ishing、erosion的修復(fù)。

 吉致電子CMP拋光液廠(chǎng)家，專(zhuān)業(yè)研發(fā)半導(dǎo)體芯片、晶圓、襯底相關(guān)拋光液產(chǎn)品，提供Slurry拋光漿料,阻擋層拋光液,CMP拋光液,半導(dǎo)體拋光液,銅拋光液等產(chǎn)品定制與生產(chǎn)。

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