碳化硅襯底拋光液的特點
碳化硅半導體晶片的制作一般在切片后需要用CMP拋光液進行拋光,以移除表面的缺陷與損傷。
碳化硅(Sic)晶片以高純硅粉和高純碳粉作為原材料,采用物理氣相傳輸法(PVT)生長碳化硅單晶,再在襯底上使用化學氣相沉積法(CVD法)等生成外延片,最后制成相關器件。
碳化硅襯底具有碳極性面和硅極性面,因為碳面與硅面的極性不同,所以化學活性也不同,故雙面cmp拋光速率具有差異。
吉致電子碳化硅襯底拋光液(Sic Slurry)為電力電子器件及LED用碳化硅晶片的CMP化學機械平坦化配制的高精度拋光液。CMP拋光液大大提高了碳化硅晶圓表面去除率和平坦化性能,提供了非常好的表面光潔度??墒固济媾c硅面的拋光速率接近,甚至使硅面的拋光速率大于碳面的拋光速率,并且不影響晶片幾何。吉致電子半導體拋光液與拋光墊組合可實現(xiàn)晶圓、襯底的雙面研磨、粗拋、精拋。達到碳化硅襯底表面平坦化。粗拋后RA值:0.38 精拋RA值:0.022
碳化硅襯底拋光液是均勻分散的液體,主要起到拋光、潤滑、冷卻的作用。粒徑分布均勻不沉淀、不結晶。高拋光速率的拋光液配方,快速高效同時保持均勻性、零亞表面損傷和低缺陷/劃痕。Slurry拋光液可根據(jù)要求設計定制解決方案。
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