半導(dǎo)體業(yè)內(nèi)從材料端分為：第一代元素半導(dǎo)體材料，如硅（Si）和鍺(Ge)；第二代化合物半導(dǎo)體材料：如砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）等；第三代寬禁帶材料：如碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、氮化鋁（ALN）、氧化鎵（Ga2O3）等。都要經(jīng)過CMP拋光工藝，用半導(dǎo)體拋光液和拋光墊結(jié)合拋磨。

  碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）、氮化鋁（ALN）、氧化鎵（Ga2O3）等，因為禁帶寬度大于2.2eV統(tǒng)稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料，在國內(nèi)也稱為第三代半導(dǎo)體材料。其中碳化硅和氮化鎵是目前商業(yè)前景最明朗的半導(dǎo)體材料，堪稱半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)內(nèi)新一代“黃金賽道”。

  碳化硅是由碳元素和硅元素組成的一種化合物半導(dǎo)體材料。相比傳統(tǒng)的硅材料，碳化硅的禁帶寬度是硅的3倍；導(dǎo)熱率為硅的4-5倍；擊穿電壓為硅的8倍；電子飽和漂移速率為硅的2倍。種種特性意味著碳化硅特別適于制造耐高溫、耐高壓，耐大電流的高頻大功率的器件。

  吉致電子半導(dǎo)體拋光液系列針對電力電子器件及LED用的碳化硅晶片，提供CMP化學(xué)機械平坦化配制的碳化硅晶圓拋光液Sic Slurry。CMP拋光液大大提高了碳化硅晶圓表面去除率和平坦化性能，提供了非常好的表面光潔度，專為滿足Sic晶圓基片C面、單晶硅、多晶硅從研磨到 CMP工藝各階段的規(guī)格而設(shè)計?？啥ㄖ乒杈A工件 CMP 系統(tǒng)的優(yōu)化解決方案，以提供較低的成本投入。

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