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[行業(yè)資訊]襯底與晶圓材料的選擇與特性[ 2024-08-15 16:39 ]
襯底材料半導(dǎo)體襯底材料的選擇對(duì)器件性能有重大影響。常見(jiàn)的襯底材料包括硅、砷化鎵、碳化硅等。硅襯底：硅SI是最常見(jiàn)的襯底材料，因其優(yōu)良的電學(xué)、熱學(xué)和機(jī)械特性廣泛應(yīng)用于集成電路和微電子器件。硅襯底具有成本低、加工成熟、易于大規(guī)模生產(chǎn)等優(yōu)點(diǎn)。砷化鎵襯底：砷化鎵GaAs具有高電子遷移率和良好的光電特性，常用于高頻器件和光電器件。雖然成本較高，但在特定領(lǐng)域有無(wú)可替代的優(yōu)勢(shì)。碳化硅襯底：碳化硅SIC具有高硬度、高熱導(dǎo)率和高溫穩(wěn)定性，適用于高溫、高功率和高頻應(yīng)用。碳化硅襯底的加工難度較大，但其優(yōu)異的性能使其在特定領(lǐng)域有著重要應(yīng)用
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[常見(jiàn)問(wèn)題]SiC碳化硅襯底加工的主要步驟[ 2024-06-21 15:45 ]
SiC碳化硅襯底加工的主要分為9個(gè)步驟：晶面定向、外圓滾磨、端面磨、線切、倒角、減薄、CMP研磨、CMP拋光以及清洗。1.晶面定向：使用 X 射線衍射法為晶錠定向，當(dāng)一束 X 射線入射到需要定向的晶面后，通過(guò)衍射光束的角度來(lái)確定晶面的晶向。2.外圓滾磨：在石墨坩堝中生長(zhǎng)的單晶的直徑大于標(biāo)準(zhǔn)尺寸，通過(guò)外圓滾磨將直徑減小到標(biāo)準(zhǔn)尺寸。3.端面磨：SiC 襯底一般有兩個(gè)定位邊，主定位邊與副定位邊，通過(guò)端面磨開(kāi)出定位邊。4.線切割：線切割是碳化硅SiC 襯底加工過(guò)程中一道較為重要的工序。線切過(guò)程中造成的裂紋損傷、殘留的亞表面
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[行業(yè)資訊]看懂SIC碳化硅襯底研磨加工技術(shù)[ 2024-05-20 10:31 ]
碳化硅SiC襯底因其脆硬性特性再疊加大尺寸化、超薄化的放大效應(yīng)，給現(xiàn)有的加工技術(shù)帶來(lái)了巨大的挑戰(zhàn)，被視為典型難加工材料。高效率、高質(zhì)量的碳化硅襯底加工技術(shù)成了當(dāng)下的研究熱點(diǎn)。  碳化硅相較于第一、二代半導(dǎo)體材料具有更優(yōu)良的熱學(xué)、電學(xué)性能，如寬禁帶、高導(dǎo)熱、高溫度穩(wěn)定 性和低介電常數(shù)等，這些優(yōu)勢(shì)使得以碳化硅為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料廣泛應(yīng)用于高溫、高頻、高功率 以及抗輻射等極端工況.作為高性能微電子和光 電子器件制造的襯底基片，碳化硅襯底加工后的表面、亞表面質(zhì)量對(duì)器件的使用性能有著極為重要的影響。因
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[行業(yè)資訊]碳化硅襯底平坦化使用的是什么工藝？[ 2024-03-12 14:47 ]
  碳化硅是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。  第三代半導(dǎo)體，由于在物理結(jié)構(gòu)上具有能級(jí)禁帶寬的特點(diǎn)，又稱(chēng)為寬禁帶半導(dǎo)體，主要是以氮化鎵和碳化硅為代表，其在半導(dǎo)體性能特征上與第一代的硅、第二代的砷化鎵有所區(qū)別，使得其能夠具備高禁帶寬度、高熱導(dǎo)率、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高電子飽和漂移速率等優(yōu)勢(shì)，從而能夠開(kāi)發(fā)出更適應(yīng)高溫、高功率、高壓、高頻以及抗輻射等惡劣條件的小型化功率半導(dǎo)體器件，可有效突破傳統(tǒng)硅基功率半導(dǎo)體器件及其材料的物理極限。  化學(xué)
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[常見(jiàn)問(wèn)題]什么是SIC碳化硅襯底的常規(guī)雙面磨工藝[ 2024-03-07 17:22 ]
碳化硅SIC研磨工藝是去除切割過(guò)程中造成碳化硅晶片的表面刀紋以及表面損傷層，修復(fù)切割產(chǎn)生的變形。由于SiC的高硬度的特性，CM{研磨過(guò)程中必須使用高硬度的磨料（如碳化硼或金剛石粉）研磨SiC切片的晶體表面。碳化硅襯底常規(guī)的CMP研磨工藝一般分為粗磨和精磨。SiC襯底常規(guī)雙面磨工藝雙面磨工藝又稱(chēng)DMP工藝，是目前大部分國(guó)內(nèi)碳化硅襯底廠商規(guī)模化生產(chǎn)的工藝方案，對(duì)碳化硅進(jìn)行雙面研磨(粗磨/精磨)達(dá)到一定的表面平整度和光潔度。①粗磨：采用鑄鐵盤(pán)+單晶金剛石研磨液雙面研磨的方式該工藝可以有效的去除線割產(chǎn)生的損傷層，修復(fù)面型，
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[行業(yè)資訊]碳化硅SIC襯底的加工難度有哪些？[ 2024-02-29 17:24 ]
  襯底是所有半導(dǎo)體芯片的底層材料，起到物理支撐、導(dǎo)熱、導(dǎo)電等作用。有數(shù)據(jù)顯示，襯底成本大約占晶圓加工總成本的50%，外延片占25%，器件晶圓制造環(huán)節(jié)20%，封裝測(cè)試環(huán)節(jié)5%。  SiC碳化硅襯底不止貴生產(chǎn)工藝還復(fù)雜，與Si硅片相比，SiC很難處理。SiC單晶襯底加工過(guò)程包括單晶多線切割、研磨、拋光、清洗最終得到滿足外延生長(zhǎng)的襯底片。碳化硅是世界上硬度排名第三的物質(zhì)，不僅具有高硬度的特點(diǎn)，高脆性、低斷裂韌性也使得其磨削加工過(guò)程中易引起材料的脆性斷裂從而在材料表面留下表面破碎層，且產(chǎn)生較為嚴(yán)重的表
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[吉致動(dòng)態(tài)]碳化硅襯底需要CMP嗎[ 2024-01-30 17:17 ]
  碳化硅襯底需要CMP嗎？需要碳化硅SIC晶圓生產(chǎn)的最終過(guò)程為化學(xué)機(jī)械研磨平面步驟---簡(jiǎn)稱(chēng)“CMP”。CMP工藝旨在制備用于外延生長(zhǎng)的襯底表面，同時(shí)使晶圓表面平坦化達(dá)到理想的粗糙度。  化學(xué)機(jī)械拋光步驟一般使用化學(xué)研磨液和聚氨酯基或聚氨酯浸漬氈型研磨片來(lái)實(shí)現(xiàn)的。碳化硅晶圓置于研磨片上，通過(guò)夾具或真空吸附墊將單面固定。被磨拋的晶圓載體暴露于研磨漿的化學(xué)反應(yīng)及物理摩擦中，僅從晶圓表面去除幾微米。  吉致電子研發(fā)用于SIC襯底研磨拋光的CMP研磨液/拋光液，以及研
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[常見(jiàn)問(wèn)題]打磨碳化硅需要哪種拋光墊？[ 2023-08-17 16:41 ]
  打磨碳化硅需要哪種拋光墊？  打磨碳化硅襯底分研磨和拋光4道工序：粗磨、精磨、粗拋、精拋。拋光墊的選擇根據(jù)CMP工藝制程的不同搭配不同的研磨墊：粗磨墊/精磨墊/粗拋墊/精拋墊  吉致電子CMP拋光墊滿足低、中及高硬度材料拋光需求，具有高移除率、高平坦性、低缺陷和高性?xún)r(jià)比等優(yōu)勢(shì)。結(jié)合硬質(zhì)和軟質(zhì)研磨拋光墊的優(yōu)點(diǎn)，可兼顧工件的平坦度與均勻度碳化硅研磨選擇吉致無(wú)紡布復(fù)合拋光墊，提供更快磨合的全局平坦性，提升碳化硅晶圓制程的穩(wěn)定性與尺寸精密度。  壓紋和開(kāi)槽工藝，讓PAD可保持拋光
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[常見(jiàn)問(wèn)題]碳化硅Sic襯底加工流程有哪些[ 2023-08-09 17:14 ]
碳化硅襯底是以高純硅粉和高純碳粉作為原材料，采用物理氣相傳輸法生長(zhǎng)碳化硅晶體，加工制成碳化硅晶片，簡(jiǎn)單流程可概括為原料合成→晶體生長(zhǎng)→。1、原料合成將高純硅粉和高純碳粉按一定配比混合，在 2000C以上的高溫下反應(yīng)合成碳化硅顆粒。再經(jīng)過(guò)破碎、清洗等工序，制得滿足晶體生長(zhǎng)要求的高純度碳化硅微粉原料。2、晶體生長(zhǎng)以高純度碳化硅微粉為原料，使用自主研制的晶體生長(zhǎng)爐，采用物理氣相傳輸法 (PVT 法) 生長(zhǎng)碳化硅晶體將高純碳化硅微粉和籽晶分別置于單晶生長(zhǎng)爐內(nèi)圓柱狀密閉的石墨甘場(chǎng)下部和頂部，通過(guò)電磁感應(yīng)將
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[應(yīng)用案例]碳化硅SiC拋光工藝[ 2023-04-19 17:08 ]
  根據(jù)半導(dǎo)體行業(yè)工藝不同，CMP拋光液可分為介質(zhì)層化學(xué)機(jī)械拋光液、阻擋層化學(xué)機(jī)械拋光液、銅化學(xué)機(jī)械拋光液、硅化學(xué)機(jī)械拋光液、鎢化學(xué)機(jī)械拋光液、TSV化學(xué)機(jī)械拋光液、淺槽隔離化學(xué)機(jī)械拋光液等。  SIC CMP拋光液是半導(dǎo)體晶圓制造過(guò)程中所需主要材料之一，在碳化硅材料工件打磨過(guò)程中起著關(guān)鍵作用，拋光液的種類(lèi)、顆粒分散度、粒徑大小、物理化學(xué)性質(zhì)及穩(wěn)定性等均與拋光效果緊密相關(guān)。  近年來(lái)，在人工智能、5G、數(shù)據(jù)中心等技術(shù)不斷發(fā)展背景下，碳化硅襯底應(yīng)用領(lǐng)域不斷擴(kuò)大、市場(chǎng)規(guī)模不斷擴(kuò)大，進(jìn)而帶動(dòng)
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[應(yīng)用案例]Sic Slurry 吉致電子碳化硅晶圓拋光液[ 2023-04-11 11:07 ]
  吉致電子碳化硅精拋液，適用于Sic碳化硅晶圓襯底精密加工表面平坦化。wafer使用的Slurry具有高度拋光、低粗糙度的特點(diǎn)，SiC碳化硅襯底拋光液拋光后的晶圓表面無(wú)劃傷、霧等缺陷，碳化硅晶片平坦度高。吉致電子研發(fā)的碳化硅拋光液稀釋比高、拋光后表面易清洗，被廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體集成電路襯底的制造中。  吉致電子SiC Slurry wafer拋光液具有很好的流動(dòng)性和分散性，不易結(jié)晶、易清洗、拋光效率高等優(yōu)點(diǎn)，可以滿足碳化硅晶片的精拋加工要求，也可根據(jù)客戶工藝調(diào)整做定制化硅晶圓(si wafer)
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[行業(yè)資訊]碳化硅襯底CMP拋磨工藝流程[ 2022-10-26 14:32 ]
碳化硅襯底CMP化學(xué)機(jī)械拋光工藝需要用到吉致電子CMP拋光液和拋光墊，拋磨工藝一般分為3道流程：雙面拋磨、粗拋、精拋。下面來(lái)看看吉致電子小編碳化硅晶圓拋光工藝介紹和拋光產(chǎn)品推薦吧。碳化硅襯底雙面研磨：一般使用雙面鑄鐵盤(pán)配合吉致電子金剛石研磨液或者碳化硅晶圓研磨液進(jìn)行加工；主要目的是去除線切損傷層以及改善晶片的平坦度。碳化硅襯底粗拋工藝：針對(duì)碳化硅襯底加工采用專(zhuān)門(mén)的碳化硅晶圓拋光液配合粗拋墊。既可以達(dá)到傳統(tǒng)工藝中較高的的拋光速率（與精磨基本相當(dāng)）又可以達(dá)到傳統(tǒng)工藝中粗拋后的表面光潔度。碳化硅襯底精拋工藝：SIC晶圓精
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[行業(yè)資訊]碳化硅襯底拋光液的特點(diǎn)[ 2022-10-25 16:59 ]
碳化硅半導(dǎo)體晶片的制作一般在切片后需要用CMP拋光液進(jìn)行拋光，以移除表面的缺陷與損傷。碳化硅（Sic）晶片以高純硅粉和高純碳粉作為原材料，采用物理氣相傳輸法（PVT）生長(zhǎng)碳化硅單晶，再在襯底上使用化學(xué)氣相沉積法（CVD法）等生成外延片，最后制成相關(guān)器件。碳化硅襯底具有碳極性面和硅極性面，因?yàn)樘济媾c硅面的極性不同，所以化學(xué)活性也不同，故雙面cmp拋光速率具有差異。吉致電子碳化硅襯底拋光液（Sic Slurry）為電力電子器件及LED用碳化硅晶片的CMP化學(xué)機(jī)械平坦化配制的高精度拋光液。CMP拋光液大大提高了碳化硅晶圓
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[吉致動(dòng)態(tài)]吉致電子CMP拋光液適用設(shè)備有哪些？[ 2022-08-23 16:48 ]
  吉致電子研發(fā)的拋光液產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于金屬、光電、集成電路半導(dǎo)體、陶瓷、硬盤(pán)、面板顯示器等材質(zhì)表面的深度處理。吉致電子CMP拋光耗材產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于各種CMP領(lǐng)域，包括Lapping機(jī)臺(tái)、五軸機(jī)臺(tái)、單面拋光機(jī)、雙面拋光機(jī)等其他研磨拋光機(jī)臺(tái)設(shè)備。  拋光液升級(jí)配方可用于半導(dǎo)體行業(yè)硅片硅襯底減薄、碳化硅襯底拋光、藍(lán)寶石襯底拋光。針對(duì)性更強(qiáng)的拋光液產(chǎn)品如阻擋層化學(xué)機(jī)械拋光液，鎢化學(xué)機(jī)械拋光液以及介質(zhì)層化學(xué)機(jī)械拋光液、淺槽隔離化學(xué)機(jī)械拋光液、用于3D封裝TSV化學(xué)機(jī)械拋光液可詳細(xì)咨詢(xún)。拋光液的特點(diǎn)是不傷
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