碳化硅襯底需要CMP嗎？需要碳化硅SIC晶圓生產(chǎn)的最終過程為化學(xué)機(jī)械研磨平面步驟---簡稱“CMP”。CMP工藝旨在制備用于外延生長的襯底表面，同時(shí)使晶圓表面平坦化達(dá)到理想的粗糙度。

  化學(xué)機(jī)械拋光步驟一般使用化學(xué)研磨液和聚氨酯基或聚氨酯浸漬氈型研磨片來實(shí)現(xiàn)的。碳化硅晶圓置于研磨片上，通過夾具或真空吸附墊將單面固定。被磨拋的晶圓載體暴露于研磨漿的化學(xué)反應(yīng)及物理摩擦中，僅從晶圓表面去除幾微米。

  吉致電子研發(fā)用于SIC襯底研磨拋光的CMP研磨液/拋光液，以及研磨墊/拋光墊產(chǎn)品，組合搭配在碳化硅晶圓的研磨/精拋過程中。多年來，碳化硅襯底研磨液的配方一直是廣泛研究的主題，吉致電子拋光液配方的創(chuàng)新和改良仍在繼續(xù)。在客戶的實(shí)際使用中吉致的拋光漿料與拋光墊、墊調(diào)節(jié)工藝和晶圓模板或載體薄膜相結(jié)合，在CMP 耗材上做技術(shù)提升，推動(dòng) SiC 晶圓拋光耗材和工藝創(chuàng)新解決方案。

  碳化硅襯底制造的下一個(gè)主要過程是使用含有金剛石的研磨液和研磨片對(duì)晶圓進(jìn)行機(jī)械研磨。典型工藝在雙面、單面或雙面和單面研磨工具的組合上進(jìn)行。吉致電子的工藝解決方案，通過將合適的研磨片和研磨液與安裝的工具相結(jié)合，在材料去除率、晶圓形狀和表面質(zhì)量方面為客戶提供最大的工藝性能。通過金剛石機(jī)械研磨加工碳化硅晶圓方面的豐富經(jīng)驗(yàn)可用于最大限度地提高加工效率。關(guān)注吉致電子，了解碳化硅CMP工藝最新解決方案。

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