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[行業(yè)資訊]半導體晶圓常見材質(zhì)有哪些[ 2024-07-25 17:08 ]

半導體晶圓常見材質(zhì)有哪些？晶圓常見的材質(zhì)包括硅、藍寶石、氮化硅等。一、硅晶圓硅是目前制造半導體器件的主要材料，因其易加工、價格較低等優(yōu)良性能被廣泛采用。硅晶圓表面光潔度高，可重復性好，在光電子技術(shù)、光學等領(lǐng)域有著重要的應(yīng)用。其制造過程主要包括單晶生長、切片和拋光等工序。二、藍寶石晶圓藍寶石（sapphire）是一種高硬度透明晶體，其晶格結(jié)構(gòu)與GaAs、Al2O3等半導體材料相近，尤其因其較大的帶隙（3.2eV）在制造高亮度LED、激光器等器件中得到廣泛應(yīng)用。此外，藍寶石的高強度、高抗腐蝕性也使其成為防護材料，如用于

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[吉致動態(tài)]碳化硅襯底需要CMP嗎[ 2024-01-30 17:17 ]

碳化硅襯底需要CMP嗎？需要碳化硅SIC晶圓生產(chǎn)的最終過程為化學機械研磨平面步驟---簡稱“CMP”。CMP工藝旨在制備用于外延生長的襯底表面，同時使晶圓表面平坦化達到理想的粗糙度。化學機械拋光步驟一般使用化學研磨液和聚氨酯基或聚氨酯浸漬氈型研磨片來實現(xiàn)的。碳化硅晶圓置于研磨片上，通過夾具或真空吸附墊將單面固定。被磨拋的晶圓載體暴露于研磨漿的化學反應(yīng)及物理摩擦中，僅從晶圓表面去除幾微米。吉致電子研發(fā)用于SIC襯底研磨拋光的CMP研磨液/拋光液，以及研

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[吉致動態(tài)]吉致電子碳化硅SiC拋光液的作用[ 2023-11-24 16:59 ]

拋光液是CMP的關(guān)鍵耗材之一，拋光液中的氧化劑與碳化硅SiC單晶襯底表面發(fā)生化學反應(yīng)，生成薄且剪切強度很低的化學反應(yīng)膜，反應(yīng)膜（軟質(zhì)層）在磨粒的機械作用下被去除，露出新的表面，接著又繼續(xù)生成新的反應(yīng)膜，CMP工藝周而復始的進行磨拋，達到表面平坦效果。通過研磨工藝使用微小粒徑的金剛石研磨液，對SiC晶片進行機械拋光加工后，可大幅度改善晶圓表面平坦度。但加工表面存在很多劃痕，且有較深的殘留應(yīng)力層和機械損傷層。為進一步提高碳化硅晶圓表面質(zhì)量，改善粗糙度及平整度，，超精密拋光是SiC

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[行業(yè)資訊]吉致電子科技碳化硅研磨液的作用[ 2023-11-15 17:13 ]

碳化硅研磨液的作用是去除切割過程中造成的SiC切片表面的刀痕以及表面損傷層。由于SiC的高硬度，研磨過程中必須使用高硬度的磨料（如碳化硼或金剛石粉）研磨SiC切片的晶體表面。研磨根據(jù)粗磨和精磨工藝的不同分別使用粗磨液、精磨液。 SiC粗磨液主要是去除切割造成的刀痕以及切割引起的變質(zhì)層，研磨液中會使用粒徑較大的磨粒，以提高加工效率。碳化硅晶圓精磨液主要是去除粗磨留下的表面損傷層，改善表面光潔度，并控制表面面形和晶片的厚度，利于后續(xù)的精細拋光，因此使用粒徑較細的磨粒研磨晶片。為獲

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[常見問題]打磨碳化硅需要哪種拋光墊？[ 2023-08-17 16:41 ]

打磨碳化硅需要哪種拋光墊？打磨碳化硅襯底分研磨和拋光4道工序：粗磨、精磨、粗拋、精拋。拋光墊的選擇根據(jù)CMP工藝制程的不同搭配不同的研磨墊：粗磨墊/精磨墊/粗拋墊/精拋墊吉致電子CMP拋光墊滿足低、中及高硬度材料拋光需求，具有高移除率、高平坦性、低缺陷和高性價比等優(yōu)勢。結(jié)合硬質(zhì)和軟質(zhì)研磨拋光墊的優(yōu)點，可兼顧工件的平坦度與均勻度碳化硅研磨選擇吉致無紡布復合拋光墊，提供更快磨合的全局平坦性，提升碳化硅晶圓制程的穩(wěn)定性與尺寸精密度。壓紋和開槽工藝，讓PAD可保持拋光

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[吉致動態(tài)]第三代半導體材料--碳化硅晶圓SiC拋光液[ 2023-04-17 16:49 ]

隨著硅半導體材料主導的摩爾定律逐漸走向其物理極限，同時硅也滿足不了微波射頻、高效功率電子和光電子等新需求快速發(fā)展的需要，以化合物半導體材料，特別是第三代半導體為代表的半導體新材料快速崛起。碳化硅是新型電力系統(tǒng)，特高壓電網(wǎng)必需的可達萬伏千安等級的唯一功率半導體材料，同時也是高鐵和新能源汽車牽引、電控系統(tǒng)的“心臟”。從國際技術(shù)發(fā)展水平來看，碳化硅方面，8英寸襯底開始產(chǎn)業(yè)化，車規(guī)級功率器件是當前開發(fā)重點，多家廠商已推出大功率模組及高溫封裝產(chǎn)品，碳化硅器件正向耐受更高電壓

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[應(yīng)用案例]Sic Slurry 吉致電子碳化硅晶圓拋光液[ 2023-04-11 11:07 ]

吉致電子碳化硅精拋液，適用于Sic碳化硅晶圓襯底精密加工表面平坦化。wafer使用的Slurry具有高度拋光、低粗糙度的特點，SiC碳化硅襯底拋光液拋光后的晶圓表面無劃傷、霧等缺陷，碳化硅晶片平坦度高。吉致電子研發(fā)的碳化硅拋光液稀釋比高、拋光后表面易清洗，被廣泛應(yīng)用于半導體集成電路襯底的制造中。吉致電子SiC Slurry wafer拋光液具有很好的流動性和分散性，不易結(jié)晶、易清洗、拋光效率高等優(yōu)點，可以滿足碳化硅晶片的精拋加工要求，也可根據(jù)客戶工藝調(diào)整做定制化硅晶圓(si wafer)

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[吉致動態(tài)]吉致電子常見的CMP研磨液[ 2023-02-27 16:15 ]

CMP 化學機械拋光液slurry的主要成分包括：磨料、添加劑和分散液。添加劑的種類根據(jù)產(chǎn)品適用場景也有所不同，分金屬拋光液和非金屬拋光液。金屬CMP拋光液含：金屬絡(luò)合劑、腐蝕抑制劑等。非金屬CMP拋光液含：各種調(diào)節(jié)去除速率和選擇比的添加劑。根據(jù)拋光對象不同，拋光液可分為銅拋光液、鎢拋光液、硅拋光液和鈷拋光液等類別。其中，銅拋光液和鎢拋光液主要用于邏輯芯片和存儲芯片制造過程，在10nm 及以下技術(shù)節(jié)點中，鈷將部分代替銅作為導線；硅拋光液主要用于硅晶圓初步加工過程中。吉致電子常見的CMP研

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[常見問題]吉致電子---氧化鈰研磨液在半導體CMP制程中的作用[ 2023-02-10 13:09 ]

粒徑30-50nm的球形氧化鈰研磨液用于半導體芯片制程：應(yīng)用于芯片制程中氧化硅薄膜、集成電路STI(淺溝槽隔離層)CMP STI目前已成為器件之間隔離的關(guān)鍵技術(shù)，目前已取代LOCOS(硅的局部氧化)技術(shù)。其主要步驟包括在純硅片上刻蝕淺溝槽、進行二氧化硅沉積、后用CMP技術(shù)進行表面平坦化。目前的研究表明采用納米氧化鈰作為CMP磨料，在拋光效率及效果上均優(yōu)于其他產(chǎn)品。納米氧化鈰拋光液在硅晶圓CMP平坦化的效果優(yōu)異粒徑小于100nm的球形氧化鈰拋光液用于單晶硅片表面C

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[行業(yè)資訊]碳化硅襯底CMP拋磨工藝流程[ 2022-10-26 14:32 ]

碳化硅襯底CMP化學機械拋光工藝需要用到吉致電子CMP拋光液和拋光墊，拋磨工藝一般分為3道流程：雙面拋磨、粗拋、精拋。下面來看看吉致電子小編碳化硅晶圓拋光工藝介紹和拋光產(chǎn)品推薦吧。碳化硅襯底雙面研磨：一般使用雙面鑄鐵盤配合吉致電子金剛石研磨液或者碳化硅晶圓研磨液進行加工；主要目的是去除線切損傷層以及改善晶片的平坦度。碳化硅襯底粗拋工藝：針對碳化硅襯底加工采用專門的碳化硅晶圓拋光液配合粗拋墊。既可以達到傳統(tǒng)工藝中較高的的拋光速率（與精磨基本相當）又可以達到傳統(tǒng)工藝中粗拋后的表面光潔度。碳化硅襯底精拋工藝：SIC晶圓精

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[行業(yè)資訊]碳化硅襯底拋光液的特點[ 2022-10-25 16:59 ]

碳化硅半導體晶片的制作一般在切片后需要用CMP拋光液進行拋光，以移除表面的缺陷與損傷。碳化硅（Sic）晶片以高純硅粉和高純碳粉作為原材料，采用物理氣相傳輸法（PVT）生長碳化硅單晶，再在襯底上使用化學氣相沉積法（CVD法）等生成外延片，最后制成相關(guān)器件。碳化硅襯底具有碳極性面和硅極性面，因為碳面與硅面的極性不同，所以化學活性也不同，故雙面cmp拋光速率具有差異。吉致電子碳化硅襯底拋光液（Sic Slurry）為電力電子器件及LED用碳化硅晶片的CMP化學機械平坦化配制的高精度拋光液。CMP拋光液大大提高了碳化硅晶圓

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