CMP技術(shù)（化學(xué)機械研磨）是現(xiàn)代半導(dǎo)體制造中非常重要的一項技術(shù)，在半導(dǎo)體制造中的應(yīng)用最多，通過CMP工藝使用拋光液和拋光墊可以去除晶圓表面的氧化層、硅化物、金屬殘留物等雜質(zhì)，達到工件表面平坦化，保證晶體管等器件的性能穩(wěn)定性。

   拋光磨料是CMP拋光液中最重要的組成部分，它能夠去除硅片表面的氧化物和金屬殘留物，以達到平坦化的效果。CMP常用化學(xué)拋光液有哪些？常見的CMP化學(xué)拋光液有氧化鋁（Al₂O₃）、氧化硅（SiO₂）、氧化鈰（CeO₂）氮化硅（Si₃N₄）等。不同的拋光液有不同的特點和應(yīng)用場景。

  氧化鋁拋光液的硬度較高，適用于硬質(zhì)材料表面的氧化物和殘留物去除;氧化硅拋光液的硬度較低，適用于去除軟性材料表面的氧化物和殘留物。氧化鈰拋光液適用于玻璃光學(xué)材質(zhì)的拋光打磨。還有一些特殊的磨料拋光液如氧化鎢、氮化鋁等，拋磨硬度高的半導(dǎo)體材料，性能更穩(wěn)定，但價格相對較高。

  吉致電子在CMP拋光耗材研發(fā)上注重優(yōu)化和協(xié)調(diào)，不斷提升CMP過程的效率和穩(wěn)定性，同時也更注重綠色環(huán)保，采用低毒、低揮發(fā)、易降解的成分，減少對環(huán)境和健康的影響。

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