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半導體拋光液 淺溝槽隔離拋光液 STI拋光液
磨料類型:SiO2/Al2O3/CeO2/ZrO2
磨料粒徑:10-150nm/全粒徑可定制
- 精密陶瓷拋光液 CMP納米級拋光液
- 吉致電子·精密陶瓷件拋光液·半導體拋光液
產(chǎn)品名稱:氧化鋯拋光液/氧化鋁拋光液/氮化硅拋光液/氮化鋁拋光液
產(chǎn)品特點:適用于碳化物、氮化物、氧化物和硼化物各精密陶瓷件的鏡面拋光
- SiC碳化硅襯底研磨拋光產(chǎn)品
- 吉致電子·碳化硅研磨拋光·半導體晶圓拋光
產(chǎn)品名稱:碳化硅研磨液/碳化硅拋光液/碳化硅SIC研磨墊/Sic精拋墊
產(chǎn)品特點:Politex拋光墊FUJIBO拋光墊國產(chǎn)替代
- 半導體拋光液 鈮酸鋰LiNbO3晶圓拋光液
- 產(chǎn)品名稱:鈮酸鋰晶體拋光液/鈮酸鋰拋光漿料/LN拋光液
磨料類型:SiO2/Al2O3/CeO2/ZrO2
磨料粒徑:專利化學配方/可定制
淺槽隔離CMP拋光液·參數(shù)吉致電子,CMP拋光材料 可定制·速率高·效果好·專利配方CUSTOMIZABLE, HIGH SPEED, GOOD EFFECT AND PATENTED FORMULA
產(chǎn)品名稱:淺槽隔離拋光液/STI Slurry拋光液/淺溝槽隔離化學機械拋光液
產(chǎn)品簡介:STI Slurry 適用于集成電路當中的銅互連工藝制程中銅的去除和平坦化。
具有高的銅去除速率,碟型凹陷可調(diào),低缺陷等特性??蓱糜谶壿嬓酒约?D NAND和DRAM芯片等量產(chǎn)使用。清除集成電路中銅拋光后表面的拋光顆粒和化學物殘留,以防銅表面腐蝕,降低表面缺陷。
適用范圍:
單晶硅、多晶硅的研磨拋光,存儲器制程和背照式傳感器(BSI)制程等??啥ㄖ七x擇穩(wěn)定的選擇比,去除速率,對氧化物/氮化物的選擇比。硅精拋液系列具有低缺陷的優(yōu)點。BSI拋光液系列具有理想的硅和二氧化硅去除速率和選擇比。涵蓋TSV銅/阻擋層Slurry,TSV晶背銅/介質(zhì)層拋Slurry、TSV晶背硅Slurry、TSV晶背硅/銅Slurry等。具有高去除速率、選擇比可調(diào)等優(yōu)點。以及集成電路制造工藝中淺槽隔離的拋光等等。
吉致電子淺槽隔離拋光液 STI Slurry特點:
1.分散性好。
2.粒徑分布廣泛:10-150nm。
3.高純度,有效減小對電子類產(chǎn)品的沾污。
4.適合與各種拋光墊、合成材料配合拋光使用。
5.PH、粒徑、穩(wěn)定離子等可以根據(jù)客戶定制(10-150 nm)。
6.經(jīng)特殊工藝合成的化學機械拋光液,納米顆粒呈球形,單分散,大小均勻,粒徑分布窄,可獲得高質(zhì)量的拋光精度。
拋光過程中具有:
1.高拋光速率,利用大粒徑的膠體二氧化硅粒子達到高速拋光的目的。(可以生產(chǎn)150 nm)。
2.高平坦度加工,吉致氧化硅精拋液是利用SiO2的膠體粒子,不會對加工件造成物理損傷,達到高平坦化加工。
拋光過程后具有:
1.精度可以達到納米
2.劃傷和挖傷可以達到0/0
吉致電子STI拋光液使用方法:
1.可根據(jù)拋光操作條件用去離子水進行5-20倍稀釋。
2.稀釋后,粗拋時調(diào)節(jié)PH11左右,精拋時調(diào)節(jié)PH9.5左右。pH調(diào)節(jié)可以用10%的鹽酸、醋酸、檸檬酸、KOH或氨水在充分攪拌下慢慢加入。
3.循環(huán)拋光可以用原液。
吉致電子STI拋光液儲存方法:
1.貯存時應避免曝曬,貯存溫度為5-35℃
2.低于0℃以上儲存,防止結冰,在無度以下因產(chǎn)生不可再分散結塊而失效。
3.避免敞口長期與空氣接觸。
吉致電子STI拋光液價格:
吉致電子的淺槽隔離拋光液(STI Slurry)生產(chǎn)技術是引進國外生產(chǎn)技術和設備,特殊化學配方制備而成。吉致電子拋光液品質(zhì)可以媲美進口同類產(chǎn)品。
本土化生產(chǎn)的優(yōu)勢使吉致電子CMP拋光液產(chǎn)品交貨周期快,品質(zhì)好,拋光液價格實惠親民。
吉致電子研發(fā)團隊--15年經(jīng)驗CMP拋光液配方工程師,為您攻克拋光難題!
無錫吉致電子科技有限公司
聯(lián)系人:官經(jīng)理
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郵編:214000
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