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[常見問題]CMP拋光墊的種類及特點[ 2024-07-26 16:42 ]

Cmp拋光墊種類可按材質結構主要有：聚合物拋光墊、無紡布拋光墊、帶絨毛結構的無紡布拋光墊、復合型拋光墊。①聚合物拋光墊聚合物拋光墊的主要成分是發(fā)泡體固化聚氨酯，聚氨酯拋光墊具有抗撕裂強度高、耐磨性強、耐酸堿腐蝕性優(yōu)異的特點，是最常用的拋光墊材料之一。圖聚氨酯拋光墊微觀結構在拋光過程中，聚氨酯拋光墊表面微孔可以軟化和使拋光墊表面粗糙化，并且能夠將磨料顆粒保持在拋光液中，可以實現(xiàn)高效的平坦化加工。聚氨酯拋光墊表面的溝槽有利于拋光殘渣的排出。但聚氨酯拋光墊硬度過高，拋光過程中變形小，加工過程中容

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[常見問題]吉致電子CMP拋光墊的作用[ 2024-07-18 16:19 ]

CMP技術是指被拋光材料在化學和機械的共同作用下，工件表面達到所要求的平整度的一個工藝過程。cmp拋光液中的化學成分與被拋磨工件材料表面進行化學反應，形成易去除的軟化層，拋光墊和拋光液中的研磨顆粒對材料表面進行物理機械拋光將軟化層除去。在CMP制程中，拋光墊的主要作用有：①使拋光液有效均勻分布至整個加工區(qū)域，且可提供新補充的拋光液進行一個拋光液循環(huán)；②從工件拋光表面除去拋光過程產(chǎn)生的殘留物（如拋光碎屑、拋光碎片等）；③傳遞材料去除所需的機械載荷；④維持拋光過程所需的機械和化學環(huán)境。除拋光墊的力學性能以外，其表面組織

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[常見問題]打磨碳化硅需要哪種拋光墊？[ 2023-08-17 16:41 ]

打磨碳化硅需要哪種拋光墊？打磨碳化硅襯底分研磨和拋光4道工序：粗磨、精磨、粗拋、精拋。拋光墊的選擇根據(jù)CMP工藝制程的不同搭配不同的研磨墊：粗磨墊/精磨墊/粗拋墊/精拋墊吉致電子CMP拋光墊滿足低、中及高硬度材料拋光需求，具有高移除率、高平坦性、低缺陷和高性價比等優(yōu)勢。結合硬質和軟質研磨拋光墊的優(yōu)點，可兼顧工件的平坦度與均勻度碳化硅研磨選擇吉致無紡布復合拋光墊，提供更快磨合的全局平坦性，提升碳化硅晶圓制程的穩(wěn)定性與尺寸精密度。壓紋和開槽工藝，讓PAD可保持拋光

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[常見問題]半導體拋光---硅片拋光墊怎么選[ 2023-08-08 16:31 ]

硅片拋光涉及到半導體工件的技術加工領域，硅片拋光墊的多孔結構和軟性磨料材料，可以適應不同硅片材料的表面結構，達到不同表面加工的需求。在微電子、半導體、光電等領域中，CMP拋光墊的使用越來越廣泛，尤其是在制造高性能晶體管、集成電路和MEMS等微納米器件中，CMP拋光墊的質量和性能至關重要。硅片拋光墊的主要作用有：①使拋光液有效均勻分布至整個加工區(qū)域，且可提供新補充的拋光液進行一個拋光液循環(huán)；②從工件拋光表面除去拋光過程產(chǎn)生的殘留物（如拋光碎屑、拋光碎片等）；③傳遞材料去除所需的

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[行業(yè)資訊]半導體先進制程PAD拋光墊國產(chǎn)替代進行中[ 2023-06-23 11:09 ]

國內半導體制造的崛起加速推動了半導體材料的國產(chǎn)化進程。在政策、資金以及市場需求的帶動下，我國集成電路產(chǎn)業(yè)迅猛發(fā)展，帶動上游材料需求增長。先進制程CMP拋光液及CMP拋光墊用量大增，國產(chǎn)替代進行中。 CMP拋光墊（CMP PAD）一般分為聚氨酯拋光墊、無紡布拋光墊、阻尼布拋光墊等，高精密研磨拋光墊應用于半導體制作、平面顯示器、玻璃光學、各類晶圓襯底、高精密金屬已經(jīng)硬盤基板等產(chǎn)業(yè)，目前主要型號有 IC1000、IC1400、IC2000、SUBA等，其中IC1000和SUBA是用得最廣的。&n

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[常見問題]吉致電子拋光液--CMP拋光工藝在半導體行業(yè)的應用[ 2023-02-09 13:14 ]

CMP化學機械拋光應用于各種集成電路及半導體行業(yè)等減薄與平坦化拋光，吉致電子拋光液在半導體行業(yè)的應用，主要為STI CMP、Oxide CMP、ILD CMP、IMD CMP提供拋光漿料與耗材。 CMP一般包括三道拋光工序，包括CMP拋光液、拋光墊、拋光蠟、陶瓷片等。拋光研磨工序根據(jù)工件參數(shù)要求，需要調整不同的拋光壓力、拋光液組分、pH值、拋光墊材質、結構及硬度等。CMP拋光液和CMP拋光墊是CMP工藝的核心要素，直接影響工件表面的拋光質量。在半導體行業(yè)CMP環(huán)節(jié)之中，也存在

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吉致電子拋光材料源頭廠家
25年專注CMP拋光材料研發(fā)與生產(chǎn)

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