- [行業(yè)資訊]碳化硅SIC襯底的加工難度有哪些？[ 2024-02-29 17:24 ]
- 襯底是所有半導(dǎo)體芯片的底層材料，起到物理支撐、導(dǎo)熱、導(dǎo)電等作用。有數(shù)據(jù)顯示，襯底成本大約占晶圓加工總成本的50%，外延片占25%，器件晶圓制造環(huán)節(jié)20%，封裝測(cè)試環(huán)節(jié)5%。 SiC碳化硅襯底不止貴生產(chǎn)工藝還復(fù)雜，與Si硅片相比，SiC很難處理。SiC單晶襯底加工過(guò)程包括單晶多線(xiàn)切割、研磨、拋光、清洗最終得到滿(mǎn)足外延生長(zhǎng)的襯底片。碳化硅是世界上硬度排名第三的物質(zhì)，不僅具有高硬度的特點(diǎn)，高脆性、低斷裂韌性也使得其磨削加工過(guò)程中易引起材料的脆性斷裂從而在材料表面留下表面破碎層，且產(chǎn)生較為嚴(yán)重的表
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