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[吉致動態(tài)]吉致電子--共慶2024花好月圓中秋節(jié)[ 2024-09-13 18:41 ]

海上生明月，天涯共此時！2024中秋佳節(jié)將近，月到中秋分外明，佳節(jié)喜氣伴你行。人逢喜事精神爽，人月兩圓事業(yè)成。心寬氣順身體棒，合家幸福享天倫。無論您在天涯海角，無錫吉致電子科技有限公司全體成員都深深祝褔您，----中秋團圓，幸福美滿，佳節(jié)快樂!無錫吉致電子科技有限公司http://www.5minute-ebook.com/聯(lián)系電話：17706168670郵編：214000?地址：江蘇省無錫市新吳區(qū)新榮路6號

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[吉致動態(tài)]吉致電子藍寶石拋光液雙面研磨與單面精磨[ 2024-09-13 18:28 ]

藍寶石襯底的表面平坦加工旨在去除線切產生的線痕、裂紋和殘余應力等表面、亞表面損傷層，提升藍寶石晶片的表面質量，從而達到 LED 芯片制備的表面質量要求。CMP化學機械研磨工藝是解決藍寶石襯底表面平坦化的有效工藝之一，那么雙面研磨與單面精磨工藝是怎樣的，研磨拋光耗材該怎么選？藍寶石襯底雙面研磨可實現(xiàn)上、下兩個平面的實時同步加工，有效減小兩個平面之間因加工引起的應力應變差，具有較好的表面翹曲度和平整度修正效果;但雙面研磨后晶片表面仍然存在著厚度為(0~25)um的表面/亞表面損傷層，而化學機

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[行業(yè)資訊]吉致電子 Cu CMP研磨工藝的三個步驟[ 2024-07-31 15:40 ]

Cu CMP研磨工藝通常包括三步。第一步：用來磨掉晶圓表面的大部分金屬。第二步：通過降低研磨速率的方法精磨與阻擋層接觸的金屬,并通過終點偵測技術（Endpoint）使研磨停在阻擋層上。第三步：磨掉阻擋層以及少量的介質氧化物,并用大量的去離子水（DIW）清洗研磨墊和晶圓。Cu CMP研磨工藝中第一和第二步的研磨液通常是酸性的,使之對阻擋層和介質層具有高的選擇性,而第三步的研磨液通常是偏堿性,對不同材料具有不同的選擇性。這兩種研磨液（金屬研磨液/介質研磨液）都應該含有H2O2、抗腐蝕的BTA（三唑甲基苯）以及其他添加物

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[常見問題]吉致電子CMP拋光墊的作用[ 2024-07-18 16:19 ]

CMP技術是指被拋光材料在化學和機械的共同作用下，工件表面達到所要求的平整度的一個工藝過程。cmp拋光液中的化學成分與被拋磨工件材料表面進行化學反應，形成易去除的軟化層，拋光墊和拋光液中的研磨顆粒對材料表面進行物理機械拋光將軟化層除去。在CMP制程中，拋光墊的主要作用有：①使拋光液有效均勻分布至整個加工區(qū)域，且可提供新補充的拋光液進行一個拋光液循環(huán)；②從工件拋光表面除去拋光過程產生的殘留物（如拋光碎屑、拋光碎片等）；③傳遞材料去除所需的機械載荷；④維持拋光過程所需的機械和化學環(huán)境。除拋光墊的力學性能以外，其表面組織

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[行業(yè)資訊]藍寶石激光領域視窗拋光液[ 2024-06-26 17:28 ]

藍寶石激光領域視窗具有 Mohs 9硬度、平整度到<1/20λ,表面粗糙度0.3nm。按照尺寸從0.5英寸到30英寸和不同壁厚度的規(guī)格制造,包括階梯邊緣、橢圓形邊緣望造、孔、槽和楔角。藍寶激光領域視窗對快速移動的沙子、鹽水和其他顆粒物具有抵抗力,非常適合所有類型的激光武器系統(tǒng)、大功率微波和其他需要極其平坦和堅固的光學技術的應用。吉致電子藍寶石激光領域視窗拋光液，具有良好的穩(wěn)定性，提高藍寶石視窗片拋光速率的同時保證藍寶石表面光滑、無缺陷的全局平坦化質量。無錫吉致電子科

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[吉致動態(tài)]吉致電子主要業(yè)務及CMP產品有哪些[ 2024-06-04 16:54 ]

吉致電子科技有限公司的主要業(yè)務及服務行業(yè)有：半導體集成電路、金屬行業(yè)、光電行業(yè)、陶瓷行業(yè)等。CMP產品包括：拋光液、拋光墊、清洗劑、其他研磨拋光耗材等。吉致電子致力于產品質量嚴格管控，多年研發(fā)經驗技術，已為數(shù)家百強企業(yè)提供拋光解決方案并長期合作。吉致電子CMP拋光液產品主要包括以下系列：半導體集成電路：Si wafer slurry / SiC wafer slurry / W slurry / IC CU slurry / Oxide slurry / 3D TSV CU slurry / FA slurry /

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[常見問題]吉致電子--GaN氮化鎵CMP拋光的重要性[ 2024-05-31 17:13 ]

氮化鎵(GaN)是一種具有廣泛應用前景的半導體材料，具有優(yōu)異的電子特性和光學性能。在現(xiàn)代電子設備中，氮化鎵被廣泛應用于 LED 顯示屏、激光器、功率放大器等領域，并且在未來的 5G 通訊、電動汽車等領域也具有巨大的發(fā)展?jié)摿?。然而，氮化鎵在制備過程中容易受到表面缺陷的影響，影響其性能和穩(wěn)定性，所以氮化鎵拋光工藝顯得尤為重要，淺談一下氮化鎵CMP拋光的重要性。氮化鎵CMP拋光的重要性主要體現(xiàn)在以下幾個方面：1，提高器件的光電性能：氮化鎵材料用于制作 LED和LD等光電器件其表面質量影響著器件的

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[常見問題]吉致電子--襯底與晶圓CMP磨拋工藝的區(qū)別[ 2024-05-29 15:44 ]

在半導體制造過程中，襯底和晶圓是兩個常見的術語。它們扮演著重要的角色，但在定義、結構和用途上存在一些差異和區(qū)別。襯底---作為基礎層的材料，承載著芯片和器件。它通常是一個硅片或其他材料的薄片，作為承載芯片和電子器件的基礎。襯底可以看作是半導體器件的“地基”。襯底的CMP磨拋工藝主要關注其表面的平整度、清潔度和粗糙度，確保后續(xù)工藝如外延生長、薄膜沉積等能夠順利進行。晶圓---則是從襯底中切割出來的圓形硅片，作為半導體芯片的主要基板。晶圓的CMP磨拋工藝

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[常見問題]吉致電子--單晶硅與多晶硅的區(qū)別[ 2024-05-23 18:01 ]

吉致電子粒徑小于100nm的球形氧化鈰拋光液可用于單晶硅片表面CMP及多晶硅CMP。下面簡單談談單晶硅和多晶硅的區(qū)別：單晶硅和多晶硅是兩種不同的硅材料，它們的主要區(qū)別在于晶體結構、物理性質和用途等方面。 ①晶體排列組成不一樣：單晶硅是由許多晶體周期性排列而成的，其晶體結構具有高度的有序性和一致性，因此其晶體內部的原子排列和晶體缺陷都比較少。多晶硅是由許多小的晶體組成的，每個小晶體的晶體結構都有一定的差異，因此其晶體內部的原子排列和晶體缺陷都比較復雜。 ②

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[吉致動態(tài)]鈮酸鋰晶體怎么拋光？[ 2024-03-08 11:16 ]

鈮酸鋰晶體拋光，用吉致電子CMP鈮酸鋰拋光液是有效方法鈮酸鋰晶體(分子式 LiNbO3簡稱 LN)是一種具有鐵電、壓電、熱電、電光、聲電和光折變效應等多種性質的功能材料，是目前公認為光電子時代"光學硅"的主要候選材料之一。它在超聲器件、光開關、光通訊調制器、二次諧波發(fā)生和光參量振蕩器等方面獲得廣泛應用。鈮酸鋰晶片的加工質量和精度直接影響其器件的性能，因此鈮酸鋰的應用要求晶片表面超光滑、無缺陷、無變質層。目前,有關鈮酸鋰晶片的加工特性及其超光滑表面加工技術的研

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[吉致動態(tài)]藍寶石研磨液在CMP襯底工件的應用[ 2024-02-23 14:34 ]

藍寶石研磨液(又稱為藍寶石拋光液)是用于在藍寶石襯底的減薄和研磨拋光。藍寶石研磨液由金剛石微粉、復合分散劑和分散介質組成。藍寶石研磨液利用聚晶金剛石的特性，在研磨拋光過程中保持高切削效率的同時不易對工件表面產生劃傷。金剛石研磨液可以應用在藍寶石襯底的研磨和減薄、光學晶體、硬質玻璃、超硬陶瓷和合金、磁頭、硬盤、芯片等領域的研磨和拋光。吉致電子藍寶石研磨液在藍寶石襯底方面的應用:1.外延片生產前襯底的雙面研磨:用于藍寶石研磨一道或多道工序，根據(jù)最終藍寶石襯底研磨要求用6um、3

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[吉致動態(tài)]碳化硅襯底需要CMP嗎[ 2024-01-30 17:17 ]

碳化硅襯底需要CMP嗎？需要碳化硅SIC晶圓生產的最終過程為化學機械研磨平面步驟---簡稱“CMP”。CMP工藝旨在制備用于外延生長的襯底表面，同時使晶圓表面平坦化達到理想的粗糙度。化學機械拋光步驟一般使用化學研磨液和聚氨酯基或聚氨酯浸漬氈型研磨片來實現(xiàn)的。碳化硅晶圓置于研磨片上，通過夾具或真空吸附墊將單面固定。被磨拋的晶圓載體暴露于研磨漿的化學反應及物理摩擦中，僅從晶圓表面去除幾微米。吉致電子研發(fā)用于SIC襯底研磨拋光的CMP研磨液/拋光液，以及研

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[吉致動態(tài)]國際第三代半導體年度盛會--吉致電子半導體拋光耗材受關注[ 2024-01-12 14:10 ]

吉致電子受邀出席第九屆國際第三代半導體論壇（IFWS）暨第二十屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA），斬獲大會頒發(fā)的“品牌力量”獎項。該獎項由IFWS&SSLCHINA組委會頒發(fā)，是為發(fā)展第三代半導體和半導體照明產業(yè)所屬領域的優(yōu)秀企業(yè)和優(yōu)勢品牌所創(chuàng)立，獲得該獎項是對吉致電子在半導體照明產業(yè)領域出色表現(xiàn)的高度認可。后摩爾時代，發(fā)展正當時的第三代半導體產業(yè)迎來發(fā)展機遇。半導體業(yè)繼往開來進入新的發(fā)展階段，論壇期間氛圍熱烈，學術報告、行業(yè)

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[行業(yè)資訊]氮化鋁/氮化硅（AlN/SiN）陶瓷基板的研磨拋光[ 2024-01-10 11:33 ]

氮化鋁/氮化硅（AlN/SiN）陶瓷基板的研磨拋光，需要用粗拋和精拋兩道工藝。粗拋液用來研磨快速去除表面缺陷和不良，精細拋光液用來平坦工件表面提升精度。吉致電子陶瓷專用研磨液/拋光液能減少研磨時間，同時提高陶瓷工件拋光的質量，幫助客戶縮短工時提高工作效率。陶瓷基板的研磨過程一般包括雙面研磨（35-60分鐘）和精細拋光（120分鐘）。在不到2.5小時的時間里，得到10-15納米的Ra。氮化鋁/氮化硅散熱襯底拋光方案：①雙面研磨（35-60分鐘）搭配吉致電子類多晶研磨液 ②超精細拋

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[行業(yè)資訊]吉致電子1um/3um/6um/7μm/9μm金剛石拋光液和研磨液[ 2023-12-26 16:43 ]

吉致電子金剛石拋光液/研磨液包括單晶拋光液、多晶拋光液和類多晶拋光液。金剛石研磨液分為水基和油基兩類。吉致電子1um/3um/6um/7μm/9μm金剛石拋光液金剛石拋光液濃度高，金剛石粒徑均勻，懸浮液分散充分。其特點是不結晶、不團聚，磨削力強，拋光效果好。可以滿足高硬度材料、精密的微小元器件、高質量表面要求的材料拋光需求。金剛石拋光液采用優(yōu)質金剛石微粉，結合吉致專利配方工藝，調配的CMP專用拋光液可最大限度的提高切削力和拋光效率。在實際使用中工件研磨速率穩(wěn)定，材料去除率高

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[吉致動態(tài)]圣誕儀式感拉滿，吉致電子祝您幸福平安！[ 2023-12-25 15:17 ]

吉致電子科技“拍了拍你”！嗨，親愛的吉致伙伴們：May you have the best Christmas ever愿你度過最美好的圣誕節(jié)！MERRY CHRISTMAS 12月25日圣誕快樂。祝大家：平安喜樂，萬事順遂。“誕”愿有你，一“鹿”前行，愿大家永遠開心快樂，希望快樂不止圣誕！

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[吉致動態(tài)]吉致電子應邀出席半導體國際論壇并斬獲獎牌[ 2023-12-19 16:29 ]

2023年11月28日第九屆國際第三代半導體論壇（IFWS）暨第二十屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA）在廈門開幕。IFWS&SSLCHINA是中國地區(qū)舉辦的、專業(yè)性最強、影響力最大的第三代半導體領域國際性年度盛會，也是規(guī)模最大、規(guī)格最高的第三代半導體全產業(yè)鏈綜合性論壇。吉致電子受邀出席大會，斬獲大會頒發(fā)的“品牌力量”獎項。該獎項由IFWS&SSLCHINA組委會頒發(fā)，是為發(fā)展第三代半導體和半導體照明產業(yè)所屬領域的優(yōu)秀企業(yè)和優(yōu)勢品牌所創(chuàng)立，

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[應用案例]吉致電子--CMP不銹鋼表面快速拋光[ 2023-12-18 17:58 ]

不銹鋼獲取高質量的鏡面的傳統(tǒng)工藝主要采用的拋光技術:電解拋光、化學拋光和機械拋光。隨著對鏡面不銹鋼表面質量要求的不斷提高，同時為了提高拋光效率，新型不銹鋼拋光工藝----CMP化學機械拋光被廣泛應用。吉致電子針對不銹鋼表面鏡面處理，配制組成的CMP拋光液，通過化學溶液提高不銹鋼表面活性，同時進行高速的機械拋光，用來消除表面凹凸而獲得更高質量的光潔鏡面。CMP化學機械拋光對環(huán)境污染最小，不銹鋼鏡面拋光質量最好，快速有效降低原始工件表面粗糙度，經過粗拋和精拋工藝能達到鏡面效果，無劃傷、無凹坑、無麻點橘皮。根據(jù)金屬的種

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[吉致動態(tài)]吉致電子氮化鋁陶瓷基片拋光[ 2023-12-08 16:41 ]

氮化鋁陶瓷基板具有高導熱率、低介電常數(shù)、低熱膨脹系數(shù)、高機械強度、高耐腐蝕性等特點。其作為電路元件及互連線承載體，廣泛應用再軍事和空間技術通訊、計算機、儀器儀表、半導體電子設備、汽車等各個領域。氮化鋁陶瓷經過CMP拋光后可用于半導體激光器、固體繼電器、大功率集成電路及封裝等要求絕緣又高散熱的大功率器件上。吉致電子氮化鋁陶瓷拋光液可達鏡面效果，特點如下：1、納米級拋光液，拋光后具有較優(yōu)的粗糙度2、陶瓷基片拋光液綠色無污染、不含鹵素及重金屬元素3、拋光液可循環(huán)使用，根據(jù)工藝要求可添加去離子水稀釋氮化鋁陶瓷基板通過CMP

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[吉致動態(tài)]吉致電子碳化硅SiC拋光液的作用[ 2023-11-24 16:59 ]

拋光液是CMP的關鍵耗材之一，拋光液中的氧化劑與碳化硅SiC單晶襯底表面發(fā)生化學反應，生成薄且剪切強度很低的化學反應膜，反應膜（軟質層）在磨粒的機械作用下被去除，露出新的表面，接著又繼續(xù)生成新的反應膜，CMP工藝周而復始的進行磨拋，達到表面平坦效果。通過研磨工藝使用微小粒徑的金剛石研磨液，對SiC晶片進行機械拋光加工后，可大幅度改善晶圓表面平坦度。但加工表面存在很多劃痕，且有較深的殘留應力層和機械損傷層。為進一步提高碳化硅晶圓表面質量，改善粗糙度及平整度，，超精密拋光是SiC

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