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吉致電子拋光材料 源頭廠家
25年 專注CMP拋光材料研發(fā)與生產(chǎn)

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[應(yīng)用案例]Sic Slurry 吉致電子碳化硅晶圓拋光液[ 2023-04-11 11:07 ]
  吉致電子碳化硅精拋液，適用于Sic碳化硅晶圓襯底精密加工表面平坦化。wafer使用的Slurry具有高度拋光、低粗糙度的特點(diǎn)，SiC碳化硅襯底拋光液拋光后的晶圓表面無(wú)劃傷、霧等缺陷，碳化硅晶片平坦度高。吉致電子研發(fā)的碳化硅拋光液稀釋比高、拋光后表面易清洗，被廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體集成電路襯底的制造中。  吉致電子SiC Slurry wafer拋光液具有很好的流動(dòng)性和分散性，不易結(jié)晶、易清洗、拋光效率高等優(yōu)點(diǎn)，可以滿足碳化硅晶片的精拋加工要求，也可根據(jù)客戶工藝調(diào)整做定制化硅晶圓(si wafer)
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[吉致動(dòng)態(tài)]硅溶膠研磨液--精密工件鏡面拋光效果秘密[ 2023-01-06 13:52 ]
  吉致電子硅溶膠研磨液/拋光液采用的是納米級(jí)工藝，主要粒徑在10-150nm。適用于各種材質(zhì)工件的CMP表面鏡面處理。以硅溶膠漿料為鏡面的平面研磨的材料有半導(dǎo)體晶圓、光學(xué)玻璃、3C電子金屬元件、藍(lán)寶石襯底、LED顯示屏等高精密元件。  硅溶膠拋光液也稱二氧化硅拋光液、氧化硅精拋液，SiO2是硅溶膠的化學(xué)名，適用范圍已擴(kuò)展到半導(dǎo)體產(chǎn)品的CMP拋光工藝中。  CMP拋光機(jī)可以將氧化硅研磨液循環(huán)引入磨盤，同時(shí)起到潤(rùn)滑和冷卻的作用，通過(guò)拋光液和拋光墊組合拋磨可以使工件表面粗糙度達(dá)到0.2um
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[常見(jiàn)問(wèn)題]3C鏡面拋光液用什么拋光液[ 2022-12-09 16:18 ]
  3C產(chǎn)品表面鏡面拋光一般不采用電解拋光方式，而是選擇CMP機(jī)械拋光工藝。SiO2拋光液用于3C工件的鏡面拋光工藝，主要由納米級(jí)磨料制備而成，規(guī)格一般在10nm-150nm拋光后的產(chǎn)品鏡面精度高，表面收光細(xì)膩。  氧化硅精拋液進(jìn)行精拋工藝后，工件可以從霧面提升到鏡面透亮的效果。拋光液配合精拋皮使用，鏡面效果檢測(cè)可達(dá)納米級(jí)。3C金屬拋光液用于鏡面要求較高的工件拋光，因此必須做好前道工序。先粗拋打好基礎(chǔ)，再精拋去除缺陷和不良效果。  有客戶使用二氧化硅拋光液后工件表面會(huì)產(chǎn)生麻點(diǎn)，這是由于
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[吉致動(dòng)態(tài)]吉致電子淺槽隔離拋光液怎么用[ 2022-10-31 16:47 ]
  吉致電子淺槽隔離拋光液適用范圍：?jiǎn)尉Ч?、多晶硅的研磨拋光，存?chǔ)器制程和背照式傳感器(BSI)制程等。  STI Slurry 適用于集成電路當(dāng)中的銅互連工藝制程中銅的去除和平坦化。具有高的銅去除速率，碟型凹陷可調(diào)，低缺陷等特性?？蓱?yīng)用于邏輯芯片以及3D NAND和DRAM芯片等量產(chǎn)使用。清除集成電路中銅拋光后表面的拋光顆粒和化學(xué)物殘留，以防銅表面腐蝕，降低表面缺陷。  可定制選擇穩(wěn)定的選擇比，去除速率，對(duì)氧化物/氮化物的選擇比。硅精拋液系列具有低缺陷的優(yōu)點(diǎn)。BS
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[吉致動(dòng)態(tài)]氧化硅拋光液的結(jié)晶問(wèn)題[ 2022-08-12 13:25 ]
  氧化硅拋光液長(zhǎng)時(shí)間暴露在空氣中，會(huì)使水分蒸發(fā)剩下固體氧化硅，造成硅晶體析出現(xiàn)象，稱之為結(jié)晶。在實(shí)際應(yīng)用時(shí)，硅溶膠拋光液會(huì)一直在磨盤內(nèi)旋轉(zhuǎn)循環(huán)及流動(dòng)，結(jié)晶現(xiàn)象較少，但是高溫或拋光液濃度沒(méi)有配置好，會(huì)造成團(tuán)聚，損傷工件，影響拋光效果。根據(jù)二氧化硅的特性，吉致電子拋光液廠家開(kāi)發(fā)了抗結(jié)晶納米二氧化硅拋光液，可以長(zhǎng)時(shí)間保持氧化硅穩(wěn)定液體狀態(tài)。拋磨工件時(shí)易搖散且不團(tuán)聚，化學(xué)性能穩(wěn)定分散均勻，氧化硅精拋液拋光效率高，能有效縮短工時(shí)，磨拋后工件呈現(xiàn)鏡面效果，無(wú)劃傷、高平坦。  外需要注意的是，氧化硅拋光液的
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