吉致電子拋光材料 源頭廠家
25年 專注CMP拋光材料研發(fā)與生產(chǎn)

TSV（硅通孔）Cu銅CMP拋光液·參數(shù)吉致電子，TSV CU Slurry 可定制·速率高·效果好·專利配方CUSTOMIZABLE, HIGH SPEED, GOOD EFFECT AND PATENTED FORMULA

產(chǎn)品名稱：3D先進封裝TSV CMP CU Slurry/TSV銅化學機械拋光液/半導體cmp拋光液slurry

TSV硅通孔的作用: 提高集成度、降低功耗系統(tǒng)地集成數(shù)字電路、模擬電路。通過銅、鎢、多晶硅等導電物質(zhì)的填充實現(xiàn)硅通孔的垂直電氣互連，用于3D封裝TSV阻擋層化學機械拋光液。

Front-side TSV Cu slurry----核心任務:快速去除Cu  RR_Cu超快！

Removal Rate：

吉致電子JZ-1238與競品AXXX 相當，2.2psi時為競品的 99.2%;加入 H₂O₂ 24hRR 仍很穩(wěn)定，為原來的 96%。

吉致電子JZ-1238 的表面粗度 Ra 與競品相當，批次測試結(jié)果的穩(wěn)定性也較好!

吉致電子TSV Cu Slurry RR選擇比：

JZ-1238在1.0和.5psi時對于Cu和Tin,Ti,TEOS的RR與AXXX均相當，速率選擇比比AXXX稍高；對TaRR為

1.0psi時AXXX的速率選擇比: Cu:TiN=7.83:1，Cu:Ti=85.13:1， Cu:TEOS=119.03:1

         JZ-1238的速率選擇比: Cu:TiN=8.22:1， Cu:Ti=140.90:1，Cu:TEOS=133.39:1

0.5psi時AXXX的速率選擇比: Cu:TiN=5.54:1，Cu:Ti=68.51:1，Cu:TEOS=48.21:1

         JZ-1238的速率選擇比: Cu:TiN=6.01:1， Cu:Ti=98.81:1，Cu:TEOS=111.56:1

吉致電子JEEZ用于3D封裝TSV化學機械拋光液：

可定制選擇穩(wěn)定的選擇比，去除速率，對氧化物/氮化物的選擇比。硅精拋液系列具有低缺陷的優(yōu)點。Cu拋光液系列具有理想的硅和二氧化硅去除速率和選擇比。涵蓋TSV銅/阻擋層Slurry，TSV晶背銅/介質(zhì)層拋Slurry、TSV晶背硅Slurry、TSV晶背硅/銅Slurry等。具有高去除速率、選擇比可調(diào)等優(yōu)點。以及集成電路制造工藝中淺槽隔離的拋光等等。

吉致電子研發(fā)團隊--15年經(jīng)驗CMP拋光液配方工程師，為您攻克拋光難題！

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