吉致資訊第4期：化學機械拋光中拋光液流動的微性分析

CMP拋光中拋光液其流動速度有什么影響呢，今天就講解下拋光液流動性的影響。

現(xiàn)代芯片制造領域中有兩個相互矛盾的趨勢：被加工件的尺寸越來越大，而所需的加工精度要求卻越來越高，比如下一代集成電路中的晶片要求直徑大于300mm而表面粗糙度和波紋度要小于幾個埃，下一代磁盤也要求表面劃痕深度≤1nm,粗糙度≤0.1nm.這樣，有必要對材料進行分子去除.

拋光液其所含的化學物質與晶片表面或亞表面相互作用形成軟化層或者弱鍵,或者對晶片表面產(chǎn)生鈍化反應從而使得材料可以以光滑和均勻的方式被切除,其所含的固體(納米)顆粒對軟化或弱鍵表面的磨損形成精表面.

事實上,在CMP中,重要的相互作用就是表層膜的形成與切除(如晶片金屬涂層的氧化與切除),切除材料從表面帶走等等,所以對拋光液流動規(guī)律的了解將有助于理解CMP的機理.

拋光液的流變性能對去除率和拋光質量有重要作用.大多數(shù)的拋光液都含有固體粒子,如膠體氧化硅拋光液,可達到高的平整度.這樣改變了其流變性能.從物理上講,微流體是指這樣一類流體:它由剛性、隨機取向粒子(或者為球體)構成,粒子懸浮于粘性介質中,而粒子本身的變形可忽略不計.由于SiO2粒子通常以球形存在,用微流體來表征這種流體是一個較好的選擇.

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